公开(公告)号：US08957523B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US13737957

申请日：2013-01-10

申请人： GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.

发明人： Fan Zhang ,  Wei Shao ,  Juan Boon Tan ,  Yeow Kheng Lim ,  Mahesh Bhatkar ,  Soh Yun Siah

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/00 ,  H01L23/538 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a substrate comprises a plurality of metal layers. The semiconductor device also includes dielectric posts disposed in the metal layers. The density of the dielectric posts in the metal layers is equal to about 15-25%.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 半导体器件包括包括多个金属层的衬底。 半导体器件还包括设置在金属层中的电介质柱。 金属层中的电介质柱的密度等于约15-25％。