公开(公告)号：US06358809B1

公开(公告)日：2002-03-19

申请号：US09764812

申请日：2001-01-16

申请人： Glenn Nobinger ,  Alexander Kalnitsky ,  Melvin Schmidt ,  Jonathan Herman ,  Viktor Zekeriya ,  Vijaykumar Ullal ,  Daniel H. Rosenblatt ,  Joseph P. Ellul

发明人： Glenn Nobinger ,  Alexander Kalnitsky ,  Melvin Schmidt ,  Jonathan Herman ,  Viktor Zekeriya ,  Vijaykumar Ullal ,  Daniel H. Rosenblatt ,  Joseph P. Ellul

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L28/24 ,  H01L21/265

摘要： A method of modifying a layer of thin film composite material to achieve one or more desired properties for the thin film layer which cannot be achieved by heat treatment at all practical temperatures of operation allowable by particular integrated circuit processes. In particular, the thin film composite material is subjected to an ion implantation process. Depending on the doping species, the doping concentration, the doping energy, and other ion implantation parameters, one or more properties of the deposited thin film resistive layer can be modified. Such properties may include electrical, optical, thermal and physical properties. For instance, the sheet resistance and/or the temperature coefficient of resistance of the thin film composite material may be increased or decreased by appropriately implanting ions into the material. The ion implantation can be applied globally in order to modify one or more properties of the entire deposited thin film composite layer. Alternatively, the ion implantation can be applied regionally in order to modify the thin film composite material at a first region, not modify the thin film composite material at a second region, and/or modify the thin film composite material in another way at a third region.

摘要翻译： 一种改变薄膜复合材料层的方法，以实现薄膜层的一个或多个期望的性能，这在特定集成电路工艺允许的所有实际操作温度下都不能通过热处理实现。 特别地，对薄膜复合材料进行离子注入工艺。 根据掺杂种类，掺杂浓度，掺杂能和其它离子注入参数，可以修改沉积的薄膜电阻层的一个或多个特性。 这些性质可以包括电，光，热和物理性质。 例如，通过将离子适当地注入到材料中，薄膜复合材料的薄层电阻和/或电阻温度系数可以增加或减少。 可以全局地应用离子注入，以便修饰整个沉积的薄膜复合层的一个或多个特性。 或者，可以区域地施加离子注入，以便在第一区域改性薄膜复合材料，而不是在第二区域改变薄膜复合材料，和/或以另一种方式在第三区域改性薄膜复合材料 地区。