公开(公告)号：US08435419B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US13014813

申请日：2011-01-27

申请人： Guowen Ding ,  Herrick Ng ,  Teh-Tien Sue ,  Benjamin Schwarz ,  Zhuang Li

发明人： Guowen Ding ,  Herrick Ng ,  Teh-Tien Sue ,  Benjamin Schwarz ,  Zhuang Li

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

摘要： Methods of processing substrates having metal layers are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate comprising a metal layer having a patterned mask layer disposed above the metal layer, the method may include etching the metal layer through the patterned mask layer; and removing the patterned mask layer using a first plasma formed from a first process gas comprising oxygen (O2) and a carbohydrate. In some embodiments, a two step method with an additional second process gas comprising chlorine (Cl2) or a sulfur (S) containing gas, may provide an efficient way to remove patterned mask residue.

摘要翻译： 本文提供了处理具有金属层的基板的方法。 在一些实施例中，一种处理包括具有设置在金属层上方的图案化掩模层的金属层的衬底的方法，所述方法可以包括通过图案化掩模层蚀刻金属层; 以及使用由包含氧（O 2）和碳水化合物的第一工艺气体形成的第一等离子体去除图案化掩模层。 在一些实施方案中，具有包含氯（Cl 2）或含硫（S））气体的另外的第二工艺气体的两步法可以提供去除图案化掩模残余物的有效方式。