公开(公告)号：US5899752A

公开(公告)日：1999-05-04

申请号：US429432

申请日：1995-04-26

申请人： H. Peter W Hey ,  David Carlson

发明人： H. Peter W Hey ,  David Carlson

IPC分类号： C01B33/02 ,  H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02046 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3185 ,  Y10S438/906

摘要： A method of in-situ cleaning a native oxide layer from the surface of a silicon wafer positioned in a vacuum chamber that is substantially free of oxidizing species by passing at least one non-oxidizing gas over the native oxide layer at a wafer cleaning temperature between about 650.degree. C. to about 1025.degree. C. for a sufficient length of time until such native oxide layer is removed.

摘要翻译： 一种从位于真空室中的硅晶片的表面原位清洁自然氧化物层的方法，该真空室基本上不含氧化物质，其通过使至少一种非氧化性气体在自然氧化物层上方以 约650℃至约1025℃持续足够长的时间，直到除去这种天然氧化物层。