公开(公告)号：US20100112799A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12582983

申请日：2009-10-21

申请人： HEE DON JEONG

发明人： HEE DON JEONG

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66553 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A method of manufacturing a flash memory device according to an embodiment includes forming a second oxide layer pattern having a mask pattern buried therein on a first nitride layer pattern and a first oxide layer stack on a semiconductor substrate; forming first polysilicon patterns at sidewalls of the buried mask pattern; removing portions of the first oxide layer, the first nitride layer pattern, and the second oxide layer pattern to form a third oxide layer pattern, a second nitride layer pattern, and a fourth oxide layer pattern at lower portions of the first polysilicon patterns and the mask pattern; forming a fifth oxide layer pattern surrounding each of the first polysilicon patterns; forming second polysilicon patterns on sidewalls of the fifth oxide layer pattern; and removing the mask pattern and parts of the third oxide layer pattern and the second nitride layer pattern between the first polysilicon patterns.

摘要翻译： 根据实施例的制造闪速存储器件的方法包括：在第一氮化物层图案和半导体衬底上的第一氧化物层堆叠上形成其掩模图案的第二氧化物层图案; 在掩埋掩模图案的侧壁处形成第一多晶硅图案; 去除第一氧化物层，第一氮化物层图案和第二氧化物层图案的部分以在第一多晶硅图案的下部形成第三氧化物层图案，第二氮化物层图案和第四氧化物层图案，并且 掩模图案 形成围绕所述第一多晶硅图案的每一个的第五氧化物层图案; 在所述第五氧化物层图案的侧壁上形成第二多晶硅图案; 以及在所述第一多晶硅图案之间去除所述掩模图案和所述第三氧化物层图案的部分和所述第二氮化物层图案。