公开(公告)号：US20120012937A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US12836106

申请日：2010-07-14

申请人： Han-Guan CHEW ,  Ming ZHU ,  Lee-Wee TEO ,  Harry-Hak-Lay CHUANG

发明人： Han-Guan CHEW ,  Ming ZHU ,  Lee-Wee TEO ,  Harry-Hak-Lay CHUANG

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The disclosure relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to an interconnection structure for N/P metal gates. An exemplary structure for an interconnection structure comprises a first gate electrode having a first portion of a first work-function metal layer under a first portion of a signal metal layer; and a second gate electrode having a second portion of the first work-function metal layer interposed between a second work-function metal layer and a second portion of the signal metal layer, wherein the second portion of the signal metal layer is over the second portion of the first work-function metal layer, wherein the second portion of the signal metal layer and the first portion of the signal metal layer are continuous, and wherein a maximum thickness of the second portion of the signal metal layer is less than a maximum thickness of the first portion of the signal metal layer.

摘要翻译： 本公开涉及集成电路制造，更具体地涉及用于N / P金属栅极的互连结构。 用于互连结构的示例性结构包括在信号金属层的第一部分下方具有第一功函数金属层的第一部分的第一栅电极; 以及第二栅电极，其具有插入在第二功函数金属层和信号金属层的第二部分之间的第一功函金属层的第二部分，其中信号金属层的第二部分在第二部分之上 的第一功函数金属层，其中信号金属层的第二部分和信号金属层的第一部分是连续的，并且其中信号金属层的第二部分的最大厚度小于最大厚度 的信号金属层的第一部分。

公开(公告)号：US20130012011A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13618421

申请日：2012-09-14

申请人： Han-Guan CHEW ,  Ming ZHU ,  Lee-Wee TEO ,  Harry-Hak-Lay CHUANG

发明人： Han-Guan CHEW ,  Ming ZHU ,  Lee-Wee TEO ,  Harry-Hak-Lay CHUANG

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This description relates to a method for fabricating an interconnection structure in a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS). The method includes forming a first opening in a dielectric layer over a substrate and partially filling the first opening with a second work-function metal layer, wherein a top surface of the second work-function metal layer is below a top surface of the first opening. The method further includes forming a second opening adjoining the first opening in the dielectric layer over the substrate and depositing a first work-function metal layer in the first and second openings, whereby the first work-function metal layer is over the second work-function metal layer in the first opening. The method further includes depositing a signal metal layer over the first work-function metal layer in the first and second openings and planarizing the signal metal layer.

摘要翻译： 该描述涉及用于制造互补金属氧化物半导体（CMOS）中的互连结构的方法。 该方法包括在基板上形成电介质层中的第一开口，并用第二功函数金属层部分地填充第一开口，其中第二功函数金属层的顶表面在第一开口的顶表面下方 。 所述方法还包括在所述基板上形成邻近所述电介质层中的所述第一开口的第二开口，并且在所述第一和第二开口中沉积第一功函数金属层，由此所述第一功函数金属层超过所述第二功函数 金属层在第一个开口。 该方法还包括在第一和第二开口中的第一功函数金属层上方沉积信号金属层并平坦化信号金属层。

公开(公告)号：US20120074475A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US12893338

申请日：2010-09-29

申请人： Han-Guan CHEW ,  Lee-Wee TEO ,  Ming ZHU ,  Bao-Ru YOUNG ,  Harry-Hak-Lay CHUANG

发明人： Han-Guan CHEW ,  Lee-Wee TEO ,  Ming ZHU ,  Bao-Ru YOUNG ,  Harry-Hak-Lay CHUANG

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/66545

摘要： The applications discloses a semiconductor device comprising a substrate having a first active region, a second active region, and an isolation region having a first width interposed between the first and second active regions; a P-metal gate electrode over the first active region and extending over at least ⅔ of the first width of the isolation region; and an N-metal gate electrode over the second active region and extending over no more than ⅓ of the first width. The N-metal gate electrode is electrically connected to the P-metal gate electrode over the isolation region.

摘要翻译： 应用公开了一种半导体器件，其包括具有第一有源区，第二有源区和具有介于第一和第二有源区之间的第一宽度的隔离区的衬底; 在所述第一有源区上方的P金属栅电极，并且延伸至所述隔离区的第一宽度的至少;; 以及在第二有源区上方的N极金属栅电极，并延伸超过第一宽度的1/3。 N型金属栅电极在隔离区域上电连接到P金属栅电极。

公开(公告)号：US20110201172A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12706782

申请日：2010-02-17

申请人： Han-Guan CHEW ,  Ming Zhu ,  Lee-Wee Teo ,  Harry-Hak-Lay Chuang

发明人： Han-Guan CHEW ,  Ming Zhu ,  Lee-Wee Teo ,  Harry-Hak-Lay Chuang

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3081 ,  H01L21/76232

摘要： The disclosure relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to a method for fabricating a semiconductor device. An exemplary method for fabricating the semiconductor device comprises providing a substrate; forming pad oxide layers over a frontside and a backside of the substrate; forming hardmask layers over the pad oxide layers on the frontside and the backside of the substrate; and thinning the hardmask layer over the pad oxide layer on the frontside of the substrate.

摘要翻译： 本公开涉及集成电路制造，更具体地涉及一种用于制造半导体器件的方法。 用于制造半导体器件的示例性方法包括提供衬底; 在衬底的前侧和后侧形成衬垫氧化物层; 在衬底的前侧和后侧上的衬垫氧化物层上形成硬掩模层; 以及在衬底的前侧的衬垫氧化物层之上使硬掩模层变薄。

公开(公告)号：US20120083095A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13316817

申请日：2011-12-12

申请人： Han-Guan CHEW ,  Ming ZHU ,  Lee-Wee TEO ,  Harry-Hak-Lay CHUANG

发明人： Han-Guan CHEW ,  Ming ZHU ,  Lee-Wee TEO ,  Harry-Hak-Lay CHUANG

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3081 ,  H01L21/76232

摘要： The disclosure relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to a method for fabricating a semiconductor device. An exemplary method for fabricating the semiconductor device comprises providing a substrate; forming pad oxide layers over a frontside and a backside of the substrate; forming hardmask layers over the pad oxide layers on the frontside and the backside of the substrate; and thinning the hardmask layer over the pad oxide layer on the frontside of the substrate.

摘要翻译： 本公开涉及集成电路制造，更具体地涉及一种用于制造半导体器件的方法。 用于制造半导体器件的示例性方法包括提供衬底; 在衬底的前侧和后侧形成衬垫氧化物层; 在衬底的前侧和后侧上的衬垫氧化物层上形成硬掩模层; 以及在衬底的前侧的衬垫氧化物层之上使硬掩模层变薄。