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    Structure and Method of Sub-Gate NAND Memory with Bandgap Engineered SONOS Devices
    1.
    发明申请
    Structure and Method of Sub-Gate NAND Memory with Bandgap Engineered SONOS Devices 有权
    具有带隙工程SONOS器件的子栅极NAND存储器的结构和方法

    公开(公告)号：US20090045452A1

    公开(公告)日：2009-02-19

    申请号：US12175297

    申请日：2008-07-17

    申请人： Hang-Ting LUE ,  Hao Ming Lien

    发明人： Hang-Ting LUE ,  Hao Ming Lien

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： G11C16/0466 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792

    摘要： A bandgap engineered SONOS device structure for design with various AND architectures. The BE-SONOS device structure comprises a spacer oxide disposed between a control gate overlaying an oxide-nitride-oxide-nitride-oxide stack and a sub-gate overlaying a gate oxide. In one example, a BE-SONOS sub-gate-AND array architecture has multiple strings of SONONOS devices with sub-gate lines and diffusion bit lines. In another example, a BE-SONOS sub-gate-AND architecture has multiple strings of SONONOS devices with sub-gate lines, relying on the sub-gate lines that create inversions to substitute for the diffusion bit lines.

    摘要翻译： 带隙设计的SONOS设备结构，具有各种AND架构设计。 BE-SONOS器件结构包括设置在覆盖氧化物 - 氮化物 - 氧化物 - 氮化物 - 氧化物堆叠的控制栅极和覆盖栅极氧化物的子栅极之间的隔离氧化物。 在一个示例中，BE-SONOS子栅极与阵列架构具有多个具有子栅极线和扩散位线的SONONOS器件串。 在另一个示例中，BE-SONOS子门-OR架构具有多个具有子栅极线的SONONOS器件串，依赖于产生反转来代替扩散位线的子栅极线。

    Structure and method of sub-gate NAND memory with bandgap engineered SONOS devices
    2.
    发明授权
    Structure and method of sub-gate NAND memory with bandgap engineered SONOS devices 有权
    具有带隙工程SONOS器件的子门NAND存储器的结构和方法

    公开(公告)号：US07948799B2

    公开(公告)日：2011-05-24

    申请号：US12175297

    申请日：2008-07-17

    申请人： Hang-Ting Lue ,  Hao Ming Lien

    发明人： Hang-Ting Lue ,  Hao Ming Lien

    IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/0466 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792

    摘要： A bandgap engineered SONOS device structure for design with various AND architectures. The BE-SONOS device structure comprises a spacer oxide disposed between a control gate overlaying an oxide-nitride-oxide-nitride-oxide stack and a sub-gate overlaying a gate oxide. In one example, a BE-SONOS sub-gate-AND array architecture has multiple strings of SONONOS devices with sub-gate lines and diffusion bit lines. In another example, a BE-SONOS sub-gate-AND architecture has multiple strings of SONONOS devices with sub-gate lines, relying on the sub-gate lines that create inversions to substitute for the diffusion bit lines.

    摘要翻译： 带隙设计的SONOS设备结构，具有各种AND架构设计。 BE-SONOS器件结构包括设置在覆盖氧化物 - 氮化物 - 氧化物 - 氮化物 - 氧化物堆叠的控制栅极和覆盖栅极氧化物的子栅极之间的隔离氧化物。 在一个示例中，BE-SONOS子栅极与阵列架构具有多个具有子栅极线和扩散位线的SONONOS器件串。 在另一个示例中，BE-SONOS子门-OR架构具有多个具有子栅极线的SONONOS器件串，依赖于产生反转来代替扩散位线的子栅极线。

    Structure and method of sub-gate and architectures employing bandgap engineered SONOS devices
    3.
    发明授权
    Structure and method of sub-gate and architectures employing bandgap engineered SONOS devices 有权
    使用带隙工程的SONOS器件的子门和架构的结构和方法

    公开(公告)号：US07414889B2

    公开(公告)日：2008-08-19

    申请号：US11419977

    申请日：2006-05-23

    申请人： Hang-Ting Lue ,  Hao Ming Lien

    发明人： Hang-Ting Lue ,  Hao Ming Lien

    IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/06

    CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792

    摘要： A bandgap engineered SONOS device structure for design with various AND architectures to perform a source side injection programming method. The BE-SONOS device structure comprises a spacer oxide disposed between a control gate overlaying an oxide-nitride-oxide-nitride-oxide stack and a sub-gate overlaying a gate oxide. In a first embodiment, a BE-SONOS sub-gate-AND array architecture is constructed multiple columns of SONONOS devices with sub-gate lines and diffusion bitlines. In a second embodiment, a BE-SONOS sub-gate-inversion-bitline-AND architecture is constructed multiple columns of SONONOS devices with sub-gate inversion bitlines and with no diffusion bitlines.

    摘要翻译： 用于设计具有各种AND架构的带隙工程SONOS器件结构，用于执行源极侧注入编程方法。 BE-SONOS器件结构包括设置在覆盖氧化物 - 氮化物 - 氧化物 - 氮化物 - 氧化物堆叠的控制栅极和覆盖栅极氧化物的子栅极之间的隔离氧化物。 在第一实施例中，BE-SONOS子栅极与阵列架构被构造成具有子栅极线和扩散位线的多列SONONOS器件。 在第二实施例中，BE-SONOS子门反转位线AND架构被构造为具有子门反转位线且没有扩散位线的多列SONONOS器件。

    Structure and Method of Sub-Gate and Architectures Employing Bandgap Engineered SONOS Devices
    4.
    发明申请
    Structure and Method of Sub-Gate and Architectures Employing Bandgap Engineered SONOS Devices 有权
    使用带隙工程SONOS器件的子门和架构的结构和方法

    公开(公告)号：US20070284620A1

    公开(公告)日：2007-12-13

    申请号：US11419977

    申请日：2006-05-23

    申请人： Hang-Ting Lue ,  Hao Ming Lien

    发明人： Hang-Ting Lue ,  Hao Ming Lien

    IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/745

    CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792

    摘要： A bandgap engineered SONOS device structure for design with various AND architectures to perform a source side injection programming method. The BE-SONOS device structure comprises a spacer oxide disposed between a control gate overlaying an oxide-nitride-oxide-nitride-oxide stack and a sub-gate overlaying a gate oxide. In a first embodiment, a BE-SONOS sub-gate-AND array architecture is constructed multiple columns of SONONOS devices with sub-gate lines and diffusion bitlines. In a second embodiment, a BE-SONOS sub-gate-inversion-bitline-AND architecture is constructed multiple columns of SONONOS devices with sub-gate inversion bitlines and with no diffusion bitlines.

    摘要翻译： 用于设计具有各种AND架构的带隙工程SONOS器件结构，用于执行源极侧注入编程方法。 BE-SONOS器件结构包括设置在覆盖氧化物 - 氮化物 - 氧化物 - 氮化物 - 氧化物堆叠的控制栅极和覆盖栅极氧化物的子栅极之间的隔离氧化物。 在第一实施例中，BE-SONOS子栅极与阵列架构被构造成具有子栅极线和扩散位线的多列SONONOS器件。 在第二实施例中，BE-SONOS子门反转位线AND架构被构造为具有子门反转位线且没有扩散位线的多列SONONOS器件。