公开(公告)号：US20070227577A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11392495

申请日：2006-03-30

申请人： Hans-Josef Sterzel ,  Klaus Kuehling ,  Mercouri Kanatzidis ,  Duck-Young Chung

发明人： Hans-Josef Sterzel ,  Klaus Kuehling ,  Mercouri Kanatzidis ,  Duck-Young Chung

IPC分类号： H01L35/16

CPC分类号： C01B19/007 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

摘要： The invention relates to a thermoelectrically active p- or n-conductive semiconductor material constituted by a compound of the general formula (I) (PbTe)1-x(Sn2±ySb2±zTe5)x   (I) with 0.0001≦x≦0.5, 0≦y

摘要翻译： 本发明涉及由通式（I）的化合物<？in-line-formula description =“In-Line Formulas”end =“lead”→（PbTe）构成的热电活性p型或n导电半导体材料 ）1-x（Sn 2 + y 2 Sb 2 + z 5）5 （I）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？>与0.0001 <= x <= 0.5,0 <= y <2和0 <= z <2， 其中0至10重量％的化合物可以被其它金属或金属化合物代替，其中该半导体材料在25℃的温度下具有至少≥60μV/ K的塞贝克系数，并且电气 至少150S / cm的电导率和至少5μW/（cm·K 2）的功率因数进一步涉及制备这种半导体材料的方法，以及发电机和 佩尔蒂耶安排包含它们。

公开(公告)号：US07952015B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US11392495

申请日：2006-03-30

申请人： Hans-Josef Sterzel ,  Klaus Kuehling ,  Mercouri G. Kanatzidis ,  Duck-Young Chung

发明人： Hans-Josef Sterzel ,  Klaus Kuehling ,  Mercouri G. Kanatzidis ,  Duck-Young Chung

IPC分类号： H01L35/16

CPC分类号： C01B19/007 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

摘要： The invention relates to a thermoelectrically active p- or n-conductive semiconductor material constituted by a compound of the general formula (I) (PbTe)1−x(Sn2±ySb2±zTe5)x  (I) with 0.0001≦x≦0.5, 0≦y

摘要翻译： 本发明涉及由通式（I）的化合物（PbTe）1-x（Sn2±ySb2±zTe5）x（I）与0.0001＆nlE; x＆nlE; 0.5的化合物构成的热电活性p型或n导电半导体材料。 ，0＆nlE; y <2和0＆nlE; z <2，其中0至10重量％的化合物可以被其它金属或金属化合物代替，其中半导体材料具有至少| S |≥60μV的塞贝克系数 / K，温度25℃，导电率至少为150S / cm，功率因数至少为5μW/（cm·K2）），还涉及制备这种半导体材料的方法 对于包含它们的发电机和珀尔帖安排。

公开(公告)号：US20100282285A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12810931

申请日：2008-12-19

申请人： Klaus Kuehling ,  Hans-Josef Sterzel ,  Haass Frank

发明人： Klaus Kuehling ,  Hans-Josef Sterzel ,  Haass Frank

IPC分类号： H01L35/34

CPC分类号： B21C23/002 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

摘要： For a process for reducing the thermal conductivity and for increasing the thermoelectric efficiency of thermoelectric materials based on lead chalcogenides or skutterudites, the thermoelectric materials are extruded at a temperature below their melting point and a pressure in the range from 300 to 1 000 MPa.

摘要翻译： 对于降低热导率和提高基于硫属化合物或方钴矿的热电材料的热电效率的方法，将热电材料在低于其熔点的温度和300至1000MPa范围内的压力下挤出。

公开(公告)号：US20100081727A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12597009

申请日：2008-04-21

申请人： Phillip Hanefeld ,  Christian Pilger ,  Klaus Kuehling

发明人： Phillip Hanefeld ,  Christian Pilger ,  Klaus Kuehling

IPC分类号： C08F2/46 ,  C08F255/10

CPC分类号： C08F8/46 ,  B01J19/126 ,  B01J2219/00094 ,  B01J2219/1284 ,  C08F110/10 ,  C08F2810/40

摘要： Preparation of ene adducts, especially polyisobutylsuccinic anhydrides, by thermally reacting olefins (“enes”), especially polyisobutylenes, with vinylic carbonyl compounds (“enophiles”), especially maleic anhydride, using microwave radiation.

摘要翻译： 通过使用微波辐射将烯烃（“enes”）特别是聚异丁烯与乙烯基羰基化合物（“亲环氧”），特别是马来酸酐热反应，制备烯加成物，特别是聚异丁基琥珀酸酐。