公开(公告)号：US20070227577A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11392495

申请日：2006-03-30

申请人： Hans-Josef Sterzel ,  Klaus Kuehling ,  Mercouri Kanatzidis ,  Duck-Young Chung

发明人： Hans-Josef Sterzel ,  Klaus Kuehling ,  Mercouri Kanatzidis ,  Duck-Young Chung

IPC分类号： H01L35/16

CPC分类号： C01B19/007 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

摘要： The invention relates to a thermoelectrically active p- or n-conductive semiconductor material constituted by a compound of the general formula (I) (PbTe)1-x(Sn2±ySb2±zTe5)x   (I) with 0.0001≦x≦0.5, 0≦y

摘要翻译： 本发明涉及由通式（I）的化合物<？in-line-formula description =“In-Line Formulas”end =“lead”→（PbTe）构成的热电活性p型或n导电半导体材料 ）1-x（Sn 2 + y 2 Sb 2 + z 5）5 （I）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？>与0.0001 <= x <= 0.5,0 <= y <2和0 <= z <2， 其中0至10重量％的化合物可以被其它金属或金属化合物代替，其中该半导体材料在25℃的温度下具有至少≥60μV/ K的塞贝克系数，并且电气 至少150S / cm的电导率和至少5μW/（cm·K 2）的功率因数进一步涉及制备这种半导体材料的方法，以及发电机和 佩尔蒂耶安排包含它们。

公开(公告)号：US08070959B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12285493

申请日：2008-10-07

申请人： Mercouri Kanatzidis ,  Emmanouil Manos ,  Nan Ding

发明人： Mercouri Kanatzidis ,  Emmanouil Manos ,  Nan Ding

IPC分类号： C02F1/42

CPC分类号： C02F1/42 ,  B01J39/02 ,  B01J39/09 ,  C01B17/20 ,  C01G9/006 ,  C01G19/006 ,  C01G45/006 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/86 ,  C01P2002/88 ,  C01P2002/89 ,  C02F2101/20

摘要： Chalcogenide compounds with cation exchange capability and methods of using the compounds are described. Compounds of the general formula A2xMxSn3-xS6 are described wherein x is 0.1-0.95, A is Li+, Na+, K+ or Rb+ and M is Mn2+, Mg2+, Zn2+, Fe2+, Co2+ or Ni2+. Compounds of the general formula H2xMxSn3-xS6 are also described wherein x is 0.1-0.95 and M=Mn2+, Mg2+, Zn2+, Fe2+, Co2+ or Ni2+. The compounds can be layered compounds. The compounds are capable of intercalation of Cs+, Sr2+, Hg2+, Pb2+, Cd2+, and/or Ag+ ions. A process involving contacting the compounds with a solution comprising one or more ions including Cs+, Sr2+, Hg2+, Pb2+, Cd2+, and/or Ag+ is also provided. The one or more ions can be removed from the solution by the compounds. A process comprising contacting compounds of the general formula A2xMxSn3-xS6 with a solution containing UO22+, Th4+ or Pu4+ ions is also described.

摘要翻译： 描述了具有阳离子交换能力的硫族化合物和使用该化合物的方法。 其中x为0.1-0.95，A为Li +，Na +，K +或Rb +，M为Mn2 +，Mg2 +，Zn2 +，Fe2 +，Co2 +或Ni2 +，通式为A2xMxSn3-xS6。 还描述了通式为H2xMxSn3-xS6的化合物，其中x为0.1-0.95，M = Mn2 +，Mg2 +，Zn2 +，Fe2 +，Co2 +或Ni2 +。 化合物可以是层状化合物。 该化合物能插入Cs +，Sr2 +，Hg2 +，Pb2 +，Cd2 +和/或Ag +离子。 还提供了使化合物与包含Cs +，Sr 2+，Hg 2+，Pb 2+，Cd 2+和/或Ag +的一种或多种离子的溶液接触的方法。 可以通过化合物从溶液中除去一种或多种离子。 还描述了使通式A2xMxSn3-xS6的化合物与含有UO22 +，Th4 +或Pu4 +离子的溶液接触的方法。

公开(公告)号：US20050076944A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10931295

申请日：2004-08-31

申请人： Mercouri Kanatzidis ,  Kuei-Fang Hsu

发明人： Mercouri Kanatzidis ,  Kuei-Fang Hsu

IPC分类号： H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L37/00

CPC分类号： H01L35/16

摘要： A thermoelectric composition comprises a material represented by the general formula (AgaX1−a)1±x(SnbPb1−b)mM′1−yQ2+m wherein X is Na, K, or a combination of Na and K in any proportion; M′ is a trivalent element selected from the group consisting of Sb, Bi, lanthanide elements, and combinations thereof; Q is a chalcogenide element selected from the group consisting of S, Te, Se, and combinations thereof; a and b are independently >0 and ≦1; x and y are independently >0 and

摘要翻译： 热电组合物包含由通式（AgaX1-a）1±x（SnbPb1-b）mM'1-yQ2 + m表示的材料，其中X是Na，K，或任何比例的Na和K的组合; M'是选自Sb，Bi，镧系元素及其组合的三价元素; Q是选自S，Te，Se及其组合的硫属元素元素; a和b独立地> 0和<= 1; x和y独立地> 0和<1; 和2 <= m <= 30。 组合物表现出高达约1.4或更高的品质因数ZT，并且可用作热电装置中的p型半导体。

公开(公告)号：US07592535B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US10571338

申请日：2004-08-25

申请人： Mercouri Kanatzidis ,  Kuei-Fang Hsu

发明人： Mercouri Kanatzidis ,  Kuei-Fang Hsu

IPC分类号： H01L37/00 ,  H01L35/30

CPC分类号： H01L35/20 ,  H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/30

摘要： A thermoelectric material of the general formula Ag1−XMmM′Q2+m, wherein M is selected from the group consisting of Pb, Sn, Ca, Sr, Ba, divalent transition metals, and combinations thereof; M′ is selected from the group consisting of Bi, Sb, and combinations thereof; Q is selected from the group consisting of Se, Te, S, and combinations thereof; 8≦m≦24; and 0.01≦x≦0.7. In embodiments of the invention, the compositions exhibit n-type semiconductor properties. In preferred embodiments, x is from 0.1 to 0.3, and m is from 10 to 18. The compositions may be synthesized by adding stoichiometric amounts of starting materials comprising Ag, M, M′, and Q to a reaction vessel, heating the starting materials to a temperature and for a period of time sufficient to melt the materials, and cooling the reaction product at a controlled rate of cooling.

摘要翻译： 通式为Ag1-XMmM'Q2 + m的热电材料，其中M选自Pb，Sn，Ca，Sr，Ba，二价过渡金属及其组合; M'选自Bi，Sb及其组合; Q选自Se，Te，S及其组合; 8 <= m <= 24; 和0.01 <= x <= 0.7。 在本发明的实施方案中，组合物显示n型半导体性质。 在优选的实施方案中，x为0.1至0.3，m为10至18.可通过向反应容器中加入化学计量量的包含Ag，M，M'和Q的起始材料来合成组合物，加热原料 达到足以熔化材料的温度和一段时间，并以受控的冷却速度冷却反应产物。

公开(公告)号：US20070107764A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US10571338

申请日：2004-08-25

申请人： Mercouri Kanatzidis ,  Kuei-Fang Hsu

发明人： Mercouri Kanatzidis ,  Kuei-Fang Hsu

IPC分类号： H01L35/30

CPC分类号： H01L35/20 ,  H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/30

摘要： A thermoelectric material of the general formula Ag1-XMmM′Q2+m, wherein M is selected from the group consisting of Pb, Sn, Ca, Sr, Ba, divalent transition metals, and combinations thereof; M′ is selected from the group consisting of Bi, Sb, and combinations thereof; Q is selected from the group consisting of Se, Te, S, and combinations thereof; 8≦m≦24; and 0.01≦x ≦0.7. In embodiments of the invention, the compositions exhibit n-type semiconductor properties. In preferred embodiments, x is from 0.1 to 0.3, and m is from 10 to 18. The compositions may be synthesized by adding stoichiometric amounts of starting materials comprising Ag, M, M′, and Q to a reaction vessel, heating the starting materials to a temperature and for a period of time sufficient to melt the materials, and cooling the reaction product at a controlled rate of cooling.

摘要翻译： 一种通式为Ag 1-X M m Q 2 + m + 2的热电材料，其中M选自 Pb，Sn，Ca，Sr，Ba，二价过渡金属及其组合; M'选自Bi，Sb及其组合; Q选自Se，Te，S及其组合; 8 <= m <= 24; 和0.01 <= x <= 0.7。 在本发明的实施方案中，组合物显示n型半导体性质。 在优选的实施方案中，x为0.1至0.3，m为10至18.可通过向反应容器中加入化学计量量的包含Ag，M，M'和Q的起始材料来合成组合物，加热原料 达到足以熔化材料的温度和一段时间，并以受控的冷却速度冷却反应产物。

公开(公告)号：US20060272697A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：US11445662

申请日：2006-06-02

申请人： Mercouri Kanatzidis ,  John Androulakis (a.k.a Ioannis Androulakis) ,  Joseph Sootsman

发明人： Mercouri Kanatzidis ,  John Androulakis (a.k.a Ioannis Androulakis) ,  Joseph Sootsman

IPC分类号： H01L35/16

CPC分类号： H01L35/26 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

摘要： A process for producing bulk thermoelectric compositions containing nanoscale inclusions is described. The thermoelectric compositions have a higher figure of merit (ZT) than without the inclusions. The compositions are useful for power generation and in heat pumps for instance.

摘要翻译： 描述了一种生产含纳米尺度夹杂物的块状热电组合物的方法。 热电组合物具有比没有夹杂物更高的品质因数（ZT）。 组合物可用于发电和例如热泵。

公开(公告)号：US20060072442A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US10543214

申请日：2004-01-22

申请人： Mercouri Kanatzidis

发明人： Mercouri Kanatzidis

IPC分类号： G11B11/00 ,  G11B7/24

CPC分类号： G11B7/243 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24324 ,  Y10T428/21

摘要： Phase-change compounds, and optical storage recording media, for recording and/or storage of data, comprising such compounds, according to the formula XSbySz; wherein X is selected from the group consisting of K, Rb, Ti, Na, Li, Cs and mixtures thereof; and wherein y is about 1 or about 5, and z is about 1 or about B. Preferably, X is K, y is 5 and z is B. Also provided are optical recording media comprising a layer of the phase-change material and methods of creating a reversible phasechange by irradiating the material with a laser radiation.

摘要翻译： 相变化合物和光学存储记录介质，用于记录和/或储存数据，包括这样的化合物，根据分子式XSb y;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; 其中X选自K，Rb，Ti，Na，Li，Cs及其混合物; 并且其中y为约1或约5，z为约1或约B.优选地，X为K，y为5，z为B.还提供了包含相变材料层和方法的光学记录介质 通过用激光辐射照射材料来产生可逆的相变。

公开(公告)号：US20090095684A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12285493

申请日：2008-10-07

申请人： Mercouri Kanatzidis ,  Emmanouil Manos ,  Nan Ding

发明人： Mercouri Kanatzidis ,  Emmanouil Manos ,  Nan Ding

IPC分类号： C02F5/08 ,  C02F1/42

CPC分类号： C02F1/42 ,  B01J39/02 ,  B01J39/09 ,  C01B17/20 ,  C01G9/006 ,  C01G19/006 ,  C01G45/006 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/86 ,  C01P2002/88 ,  C01P2002/89 ,  C02F2101/20

摘要： Chalcogenide compounds with cation exchange capability and methods of using the compounds are described. Compounds of the general formula A2xMxSn3-xS6 are described wherein x is 0.1-0.95, A is Li+, Na+, K+ or Rb+ and M is Mn2+, Mg2+, Zn2+, Fe2+, Co2+ or Ni2+. Compounds of the general formula H2xMxSn3-xS6 are also described wherein x is 0.1-0.95 and M=Mn2+, Mg2+, Zn2+, Fe2+, Co2+ or Ni2+. The compounds can be layered compounds. The compounds are capable of intercalation of Cs+, Sr2+, Hg2+, Pb2+, Cd2+, and/or Ag+ ions. A process involving contacting the compounds with a solution comprising one or more ions including Cs+, Sr2+, Hg2+, Pb2+, Cd2+, and/or Ag+ is also provided. The one or more ions can be removed from the solution by the compounds. A process comprising contacting compounds of the general formula A2xMxSn3-xS6 with a solution containing UO22+, Th4+ or Pu4+ ions is also described.

摘要翻译： 描述了具有阳离子交换能力的硫族化合物和使用该化合物的方法。 其中x为0.1-0.95，A为Li +，Na +，K +或Rb +，M为Mn2 +，Mg2 +，Zn2 +，Fe2 +，Co2 +或Ni2 +，通式为A2xMxSn3-xS6。 还描述了通式为H2xMxSn3-xS6的化合物，其中x为0.1-0.95，M = Mn2 +，Mg2 +，Zn2 +，Fe2 +，Co2 +或Ni2 +。 化合物可以是层状化合物。 该化合物能插入Cs +，Sr2 +，Hg2 +，Pb2 +，Cd2 +和/或Ag +离子。 还提供了使化合物与包含Cs +，Sr 2+，Hg 2+，Pb 2+，Cd 2+和/或Ag +的一种或多种离子的溶液接触的方法。 可以通过化合物从溶液中除去一种或多种离子。 还描述了使通式A2xMxSn3-xS6的化合物与含有UO22 +，Th4 +或Pu4 +离子的溶液接触的方法。