公开(公告)号：US07186484B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US10950165

申请日：2004-09-24

申请人： Heiko Hommen ,  Jens Stäcker ,  Maria de la Piedad Fernandez-Martinez ,  Jens Uwe Bruch ,  Thorsten Schedel

发明人： Heiko Hommen ,  Jens Stäcker ,  Maria de la Piedad Fernandez-Martinez ,  Jens Uwe Bruch ,  Thorsten Schedel

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  H01L22/34 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A measurement mark (3) for determining the relative positional accuracy of a progressive projection onto a wafer (5), the projection being performed with two masks (3, 4), comprising two structure elements (10, 20) formed on a respective one of the masks (1, 2). The structure elements (10, 20) overlap with regard to their position on the masks so that, during the projection of the second structure element (20), an electrically conductive structure (30) formed on the basis of the first structure element on the wafer (5) is overformed by removal of a portion (31). In an electrical line width measurement, the reduced width (CD, CD30a) of the structure (30) is measured and compared either with the original width (62) or with that width (CD30b) of a further partial element (30b) produced by the overforming.

摘要翻译： 一种用于确定在晶片（5）上的逐行投影的相对位置精度的测量标记（3），所述投影由两个掩模（3,4）执行，包括形成在相应的一个上的两个结构元件（10,20） 的面罩（1,2）。 结构元件（10,20）关于它们在掩模上的位置重叠，使得在第二结构元件（20）的突出期间，形成在第一结构元件的基础上的导电结构（30） 晶片（5）通过去除部分（31）而变形。 在电线宽度测量中，测量结构（30）的减小的宽度（CD，CD'30a），并将其与原始宽度（62）或与该宽度（CD < 30b）通过过度成形而产生的另一部分元件（30b）。

公开(公告)号：US20050260510A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US10950165

申请日：2004-09-24

申请人： Heiko Hommen ,  Jens Stacker ,  Maria de la Piedad Fernandez-Martinez ,  Jens Bruch ,  Thorsten Schedel

发明人： Heiko Hommen ,  Jens Stacker ,  Maria de la Piedad Fernandez-Martinez ,  Jens Bruch ,  Thorsten Schedel

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  H01L22/34 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A measurement mark (3) for determining the relative positional accuracy of a progressive projection onto a wafer (5), the projection being performed with two masks (3, 4), comprising two structure elements (10, 20) formed on a respective one of the masks (1, 2). The structure elements (10, 20) overlap with regard to their position on the masks so that, during the projection of the second structure element (20), an electrically conductive structure (30) formed on the basis of the first structure element on the wafer (5) is overformed by removal of a portion (31). In an electrical line width measurement, the reduced width (CD, CD30a) of the structure (30) is measured and compared either with the original width (62) or with that width (CD30b) of a further partial element (30b) produced by the overforming.

摘要翻译： 一种用于确定在晶片（5）上的逐行投影的相对位置精度的测量标记（3），所述投影由两个掩模（3,4）执行，包括形成在相应的一个上的两个结构元件（10,20） 的面罩（1,2）。 结构元件（10,20）关于它们在掩模上的位置重叠，使得在第二结构元件（20）的突出期间，形成在第一结构元件的基础上的导电结构（30） 晶片（5）通过去除部分（31）而变形。 在电线宽度测量中，测量结构（30）的减小的宽度（CD，CD'30a），并将其与原始宽度（62）或与该宽度（CD < 30b）通过过度成形而产生的另一部分元件（30b）。