公开(公告)号：US07186484B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US10950165

申请日：2004-09-24

申请人： Heiko Hommen ,  Jens Stäcker ,  Maria de la Piedad Fernandez-Martinez ,  Jens Uwe Bruch ,  Thorsten Schedel

发明人： Heiko Hommen ,  Jens Stäcker ,  Maria de la Piedad Fernandez-Martinez ,  Jens Uwe Bruch ,  Thorsten Schedel

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  H01L22/34 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A measurement mark (3) for determining the relative positional accuracy of a progressive projection onto a wafer (5), the projection being performed with two masks (3, 4), comprising two structure elements (10, 20) formed on a respective one of the masks (1, 2). The structure elements (10, 20) overlap with regard to their position on the masks so that, during the projection of the second structure element (20), an electrically conductive structure (30) formed on the basis of the first structure element on the wafer (5) is overformed by removal of a portion (31). In an electrical line width measurement, the reduced width (CD, CD30a) of the structure (30) is measured and compared either with the original width (62) or with that width (CD30b) of a further partial element (30b) produced by the overforming.

摘要翻译： 一种用于确定在晶片（5）上的逐行投影的相对位置精度的测量标记（3），所述投影由两个掩模（3,4）执行，包括形成在相应的一个上的两个结构元件（10,20） 的面罩（1,2）。 结构元件（10,20）关于它们在掩模上的位置重叠，使得在第二结构元件（20）的突出期间，形成在第一结构元件的基础上的导电结构（30） 晶片（5）通过去除部分（31）而变形。 在电线宽度测量中，测量结构（30）的减小的宽度（CD，CD'30a），并将其与原始宽度（62）或与该宽度（CD < 30b）通过过度成形而产生的另一部分元件（30b）。

公开(公告)号：US07310129B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US10948570

申请日：2004-09-24

申请人： Jens Stäcker ,  Heiko Hommen ,  Jens Uwe Bruch ,  Marlene Strobl ,  Karl Schumacher

发明人： Jens Stäcker ,  Heiko Hommen ,  Jens Uwe Bruch ,  Marlene Strobl ,  Karl Schumacher

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03B27/44 ,  G03B27/62 ,  G03B27/32 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F7/70733

摘要： The mutually associated structure patterns, which are provided on one mask, or a plurality of masks for a double or multiple exposure can be received by the mask substrate holder. The mask substrate holder has two receiving stations one for each of the masks. Alternatively, both structure patterns for the double exposure are formed on one mask. The substrate holder has one receiving station. The substrate holder, is displaced from the section including first structure pattern to the second, between the two exposure operations, without the masks having to be loaded or unloaded, and realigned.

摘要翻译： 提供在一个掩模上的相互关联的结构图案或用于双重或多次曝光的多个掩模可以被掩模基板保持器接收。 掩模基板保持器具有两个用于每个掩模的接收站。 或者，双曝光的两种结构图案都形成在一个掩模上。 基板支架有一个接收台。 在两个曝光操作之间，衬底保持器从包括第一结构图案的部分移动到第二结构图案，而不必将掩模装载或卸载，并重新对准。