公开(公告)号：US20060017080A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US10526470

申请日：2003-09-04

申请人： Hidekazu Tanaka ,  Tomoji Kawai ,  Teruo Kanki ,  Young- Geun Park

发明人： Hidekazu Tanaka ,  Tomoji Kawai ,  Teruo Kanki ,  Young- Geun Park

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/82 ,  H01L49/003

摘要： The field-effect transistor includes: a ferromagnetic layer, having a film thickness of 50 nm or less, which is made of a Ba—Mn oxide showing ferromagnetism at 0° C. or higher; a dielectric layer made of a dielectric material or a ferroelectric material, and the ferromagnetic layer and the dielectric layer are bonded to each other. Thus, it is possible to control the magnetism, the electricity transport property, and/or the magnetic resistivity effect at 0° C. or higher.

摘要翻译： 场效应晶体管包括：在0℃以上显示铁磁性的由Ba-Mn氧化物制成的膜厚度为50nm以下的铁磁层; 由介电材料或铁电材料制成的电介质层和铁磁层和电介质层彼此接合。 因此，可以在0℃以上控制磁性，电输送性和/或磁阻效应。