公开(公告)号：US4988423A

公开(公告)日：1991-01-29

申请号：US430950

申请日：1989-11-03

申请人： Hiroshi Yamamoto ,  Tsutomu Fujita ,  Takao Kakiuchi ,  Kousaku Yano ,  Shuichi Tanimura ,  Shinji Fujii

发明人： Hiroshi Yamamoto ,  Tsutomu Fujita ,  Takao Kakiuchi ,  Kousaku Yano ,  Shuichi Tanimura ,  Shinji Fujii

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L21/76877 ,  Y10S438/958

摘要： Disclosed is a method for fabricating an interconnection structure comprising a step of depositing an Al or Al alloy film on a dielectric film by a sputtering method improved in step coverage, a step of processing said Al or Al alloy film or a layered metal film thereof with another metal film into a metal line, and a step of depositing a film of high melting point metal or alloy thereof on the top and side surfaces of said line.

摘要翻译： 公开了一种制造互连结构的方法，其包括通过步骤覆盖改进的溅射方法在电介质膜上沉积Al或Al合金膜的步骤，将Al或Al合金膜或其层状金属膜加工的步骤 将另一金属膜转变为金属线，以及在所述线的顶表面和侧表面上沉积高熔点金属或其合金的膜的步骤。