公开(公告)号：US06790278B2

公开(公告)日：2004-09-14

申请号：US10221183

申请日：2002-12-23

申请人： Hiroshi Yoshida ,  Kiyoshi Betsuyaku ,  Tomoji Kawai ,  Hidekazu Tanaka

发明人： Hiroshi Yoshida ,  Kiyoshi Betsuyaku ,  Tomoji Kawai ,  Hidekazu Tanaka

IPC分类号： C30B2932

CPC分类号： H01L29/24 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/46 ,  C23C16/409 ,  C30B25/02 ,  C30B29/32 ,  H01G9/2027 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention provides a method for preparing a novel low-resistance p-type SrTiO3 capable of opening the way for oxide electronics in combination with an already developed low-resistance n-type SrTiO3. The method is characterized in that an acceptor and a donor are co-doped into a perovskite-type transition-metal oxide SrTiO3 during crystal growth.

摘要翻译： 本发明提供一种制备新型低电阻p型SrTiO3的方法，该方法能够与已经开发的低电阻n型SrTiO 3组合地开启氧化物电子学的途径。 该方法的特征在于，在晶体生长期间，受体和供体共掺杂到钙钛矿型过渡金属氧化物SrTiO 3中。