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    Method and pad for polishing wafer
    2.
    发明授权
    Method and pad for polishing wafer 有权
    抛光晶圆的方法和垫

    公开(公告)号：US07695347B2

    公开(公告)日：2010-04-13

    申请号：US10493494

    申请日：2002-10-25

    申请人： Hisashi Masumura ,  Kazuya Tomii ,  Shigenao Ito ,  Kenichi Anzai ,  Kenichi Inoue

    发明人： Hisashi Masumura ,  Kazuya Tomii ,  Shigenao Ito ,  Kenichi Anzai ,  Kenichi Inoue

    IPC分类号： B24B7/19 ,  B24B7/30 ,  B24D11/00 ,  B32B3/06

    CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  Y10T428/249955

    摘要： A method for polishing a wafer effectively preventing a sag in an outer peripheral portion of a wafer and a polishing pad for polishing a wafer preferably used in the method for polishing a wafer are provided. The method for polishing a wafer comprises the step of: mirror-polishing a wafer with a main surface of the wafer being in contact with a polishing pad of non-woven fabric impregnated with resin, wherein a ratio of surface roughness of the polishing pad to compressibility thereof {surface roughness Ra (μm)/compressibility (%)} is 3.8 or more.

    摘要翻译： 提供了用于抛光晶片的方法，其有效地防止晶片的外周部分的下垂以及用于抛光晶片的抛光垫的抛光垫。 抛光晶片的方法包括以下步骤：将晶片的主表面与浸渍有树脂的无纺织物的抛光垫接触的晶片进行镜面抛光，其中抛光垫的表面粗糙度与 （表面粗糙度Ra（μm）/压缩率（％））为3.8以上。