公开(公告)号：US5736771A

公开(公告)日：1998-04-07

申请号：US597980

申请日：1996-02-07

申请人： Hon-Shen Huang ,  Zon-Sheng Wu ,  Kun-Lu Chen

发明人： Hon-Shen Huang ,  Zon-Sheng Wu ,  Kun-Lu Chen

IPC分类号： G11C11/56 ,  H01L27/112 ,  H01L29/772 ,  G11C17/00

CPC分类号： G11C11/5692 ,  H01L27/112

摘要： A multi-level memory cell structure, and a method of fabrication thereby is disclosed. In a mask ROM memory device, the conventional binary data storage cell is replaced with a 16-level data storage cell. The 16-level cell is programmed with a selected one of 16 values by forming a void in a portion of the word line over the memory cell having one of 16 widths corresponding to the preselected code to be stored therein. The portion of the word line associated with the coded memory cell has an effective remaining width corresponding to the preselected code. When the memory cell is enabled by activating its associated word line, due to the variable width of the word line forming the gate of the memory cell, one of 16 discrete currents flow in the 16-level memory cell structure. The current is indicative of the preselected code stored in the cell.

摘要翻译： 公开了一种多层存储单元结构及其制造方法。 在掩模ROM存储器件中，传统的二进制数据存储单元被16级数据存储单元替代。 通过在存储器单元中的字线的一部分中形成空白，该16位单元通过在存储单元中的一个宽度对应于要存储在其中的预选代码的16个宽度中来对16级单元进行编程。 与编码的存储器单元相关联的字线的部分具有对应于预选代码的有效剩余宽度。 当通过激活其关联的字线来使能存储器单元时，由于形成存储器单元的栅极的字线的可变宽度，16个离散电流之一流入16级存储单元结构。 电流指示存储在单元中的预先选择的代码。