公开(公告)号：US5013400A

公开(公告)日：1991-05-07

申请号：US472327

申请日：1990-01-30

申请人： Howard S. Kurasaki ,  Barbara F. Westlund ,  James E. Nulty ,  E. John Vowles

发明人： Howard S. Kurasaki ,  Barbara F. Westlund ,  James E. Nulty ,  E. John Vowles

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/31116

摘要： A two-step process for forming champagne profiles on semiconductor wafers that provide, when metallized, good reliability, microcracking-free contacts and vias is disclosed. Dry etch apparatus having electrodes in a triode configuration, two plasma forming regions, and a pressure control system operative to provide a wide setpoint pressure range is also disclosed.

摘要翻译： 在半导体晶片上形成香槟型材的两步法，其在金属化时提供良好的可靠性，无微裂纹的接触和通孔。 还公开了具有三极管配置的电极，两个等离子体形成区域和可操作以提供宽的设定点压力范围的压力控制系统的干式蚀刻装置。