公开(公告)号：US20080277749A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11884805

申请日：2006-01-31

申请人： Hubert Enichlmair ,  Jochen Kraft ,  Bernhard Loffler ,  Gerald Meinhardt ,  Georg Rohrer ,  Ewald Wachmann

发明人： Hubert Enichlmair ,  Jochen Kraft ,  Bernhard Loffler ,  Gerald Meinhardt ,  Georg Rohrer ,  Ewald Wachmann

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L31/1105

摘要： A light-sensitive component which has a semiconductor junction between a thin relatively highly doped epitaxial layer and a relatively lightly doped semiconductor substrate. Outside a light incidence window, an insulating layer is arranged between epitaxial layer and semiconductor substrate. In this case, the thickness of the epitaxial layer is less than 50 nm, with the result that a large proportion of the light quanta incident in the light incidence window can be absorbed in the lightly doped semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种感光元件，其在薄的相对高掺杂的外延层和相对轻掺杂的半导体衬底之间具有半导体结。 在光入射窗外部，绝缘层布置在外延层和半导体衬底之间。 在这种情况下，外延层的厚度小于50nm，结果入射到入射窗中的光量子的大部分可以在轻掺杂半导体衬底中被吸收。

公开(公告)号：US08227882B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US11884805

申请日：2006-01-31

申请人： Hubert Enichlmair ,  Jochen Kraft ,  Bernhard Löffler ,  Gerald Meinhardt ,  Georg Röhrer ,  Ewald Wachmann

发明人： Hubert Enichlmair ,  Jochen Kraft ,  Bernhard Löffler ,  Gerald Meinhardt ,  Georg Röhrer ,  Ewald Wachmann

IPC分类号： H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/1105

摘要： A light-sensitive component which has a semiconductor junction between a thin relatively highly doped epitaxial layer and a relatively lightly doped semiconductor substrate. Outside a light incidence window, an insulating layer is arranged between epitaxial layer and semiconductor substrate. In this case, the thickness of the epitaxial layer is less than 50 nm, with the result that a large proportion of the light quanta incident in the light incidence window can be absorbed in the lightly doped semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种感光元件，其在薄的相对高掺杂的外延层和相对轻掺杂的半导体衬底之间具有半导体结。 在光入射窗外部，绝缘层布置在外延层和半导体衬底之间。 在这种情况下，外延层的厚度小于50nm，结果入射到入射窗中的光量子的大部分可以在轻掺杂半导体衬底中被吸收。