公开(公告)号：US08525244B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US11777854

申请日：2007-07-13

申请人： Hye-Young Park ,  Myong-Woon Kim ,  Jin-Dong Kim ,  Choong-Man Lee ,  Jin-Il Lee

发明人： Hye-Young Park ,  Myong-Woon Kim ,  Jin-Dong Kim ,  Choong-Man Lee ,  Jin-Il Lee

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A germanium (Ge) compound is provided. The Ge compound has a chemical formula GeR1xR2y. “R1” is an alkyl group, and “R2” is one of hydrogen, amino group, allyl group and vinyl group. “x” is greater than zero and less than 4, and the sum of “x” and “y” is equal to 4. Methods of forming the Ge compound, methods of fabricating a phase change memory device using the Ge compound, and phase change memory devices fabricated using the Ge compound are also provided.

摘要翻译： 提供锗（Ge）化合物。 Ge化合物具有化学式GeR1×R2y。 “R1”为烷基，“R2”为氢，氨基，烯丙基和乙烯基之一。 “x”大于零且小于4，“x”和“y”之和等于4. Ge化合物的形成方法，使用Ge化合物的相变存储器件的制造方法以及相 还提供了使用Ge化合物制造的更换存储器件。