公开(公告)号：US06403156B2

公开(公告)日：2002-06-11

申请号：US09883581

申请日：2001-06-18

申请人： Hyuk Kyoo Jang ,  Chan Lim

发明人： Hyuk Kyoo Jang ,  Chan Lim

IPC分类号： C23C1606

CPC分类号： C23C16/45534 ,  C23C16/403 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31616

摘要： A method is disclosed for forming an aluminum oxide film on a semiconductor device. In a process of depositing an aluminum oxide film by atomic layer deposition method using TMA (trimethyl aluminum; Al(CH3)3) as an aluminum source and H2O as an oxygen reaction gas, the disclosed method supplies a NH3 reaction gas at the same time when an aluminum source is supplied. Therefore, it can increase the growth rate of an aluminum oxide film and can also improve the characteristic of preventing penetration of hydrogen into an underlying layer or a semiconductor substrate. Thus, the disclosed method can prevent degradation in a charge storage characteristic in a capacitor and lower in an electrical characteristic of various elements, thus improving an overall characteristic of a semiconductor device.

摘要翻译： 公开了一种在半导体器件上形成氧化铝膜的方法。 在使用TMA（三甲基铝; Al（CH 3）3）作为铝源和作为氧反应气体的H 2 O的原子层沉积法沉积氧化铝膜的过程中，所公开的方法同时提供NH 3反应气体 当提供铝源时。 因此，可以提高氧化铝膜的生长速度，并且还可以提高防止氢气渗透到下层或半导体衬底中的特性。 因此，所公开的方法可以防止电容器中的电荷存储特性的劣化，并且可以降低各种元件的电特性，从而提高半导体器件的整体特性。