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公开(公告)号:US20030066542A1
公开(公告)日:2003-04-10
申请号:US09971820
申请日:2001-10-05
发明人: David B. Riggs , Rajarao Jammy , John Kim , Stephen M. Lucarini , George L. Mack , Christopher Parks
IPC分类号: B08B007/04 , B08B007/00 , B08B003/00 , C03C023/00 , F23J001/00 , C23G001/00
CPC分类号: H01L21/02046 , B08B7/00
摘要: A process for removing dopant ions from a semiconductor substrate includes exposing the substrate to a non-aqueous organic solvent in liquid and/or vapor form.
摘要翻译: 从半导体衬底去除掺杂剂离子的方法包括将衬底暴露于液体和/或蒸汽形式的非水有机溶剂中。