公开(公告)号：US20140201700A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：US13970806

申请日：2013-08-20

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Wilfried Ernest-August HAENSCH ,  Chung-Hsun Lin ,  Philip J. Oldiges ,  Hailing Wang ,  Richard Q. Williams

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

Abstract: A method for modeling FinFET width quantization is described. The method includes fitting a FinFET model of a FinFET device to single fin current/voltage characteristics. The FinFET device comprises a plurality of fins. The method includes obtaining statistical data of at least one sample FinFET device. The statistical data includes DIBL data and SS data. The method also includes fitting the FinFET model to a variation in a current to turn off the finFETs device (IOFF) in the statistical data using the DIBL data and the SS data and determining a model for a voltage to turn off the finFETs device (VOFF). The method also includes fitting the FinFET model to the VOFF.

Abstract translation: 描述了一种用于对FinFET宽度量化进行建模的方法。 该方法包括将FinFET器件的FinFET模型拟合到单个鳍电流/电压特性。 FinFET器件包括多个翅片。 该方法包括获得至少一个样本FinFET器件的统计数据。 统计数据包括DIBL数据和SS数据。 该方法还包括使用DIBL数据和SS数据将FinFET模型拟合到电流变化以关闭统计数据中的finFET器件（IOFF），并且确定用于关断finFET器件（VOFF）的电压模型 ）。 该方法还包括将FinFET模型拟合到VOFF。

公开(公告)号：US20140201699A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：US13741490

申请日：2013-01-15

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Wilfried Ernest-August HAENSCH ,  Chung-Hsun Lin ,  Philip J. Oldiges ,  Hailing Wang ,  Richard Q. Williams

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

Abstract: A method for modeling FinFET width quantization is described. The method includes fitting a FinFET model of a FinFET device to single fin current/voltage characteristics. The FinFET device comprises a plurality of fins. The method includes obtaining statistical data of at least one sample FinFET device. The statistical data includes DIBL data and SS data. The method also includes fitting the FinFET model to a variation in a current to turn off the finFETs device (IOFF) in the statistical data using the DIBL data and the SS data and determining a model for a voltage to turn off the finFETs device (VOFF). The method also includes fitting the FinFET model to the VOFF.

Abstract translation: 描述了一种用于对FinFET宽度量化进行建模的方法。 该方法包括将FinFET器件的FinFET模型拟合到单个鳍电流/电压特性。 FinFET器件包括多个翅片。 该方法包括获得至少一个样本FinFET器件的统计数据。 统计数据包括DIBL数据和SS数据。 该方法还包括使用DIBL数据和SS数据将FinFET模型拟合到电流变化以关闭统计数据中的finFET器件（IOFF），并且确定用于关断finFET器件（VOFF）的电压模型 ）。 该方法还包括将FinFET模型拟合到VOFF。