公开(公告)号：US08799848B1

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13741490

申请日：2013-01-15

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Wilfried Ernest-August Haensch ,  Chung-Hsun Lin ,  Philip J. Oldiges ,  Hailing Wang ,  Richard Q. Williams

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

Abstract: A method for modeling FinFET width quantization is described. The method includes fitting a FinFET model of a FinFET device to single fin current/voltage characteristics. The FinFET device comprises a plurality of fins. The method includes obtaining statistical data of at least one sample FinFET device. The statistical data includes DIBL data and SS data. The method also includes fitting the FinFET model to a variation in a current to turn off the finFETs device (IOFF) in the statistical data using the DIBL data and the SS data and determining a model for a voltage to turn off the finFETs device (VOFF). The method also includes fitting the FinFET model to the VOFF.

Abstract translation: 描述了一种用于对FinFET宽度量化进行建模的方法。 该方法包括将FinFET器件的FinFET模型拟合到单个鳍电流/电压特性。 FinFET器件包括多个翅片。 该方法包括获得至少一个样本FinFET器件的统计数据。 统计数据包括DIBL数据和SS数据。 该方法还包括使用DIBL数据和SS数据将FinFET模型拟合到电流变化以关闭统计数据中的finFET器件（IOFF），并且确定用于关断finFET器件（VOFF）的电压模型 ）。 该方法还包括将FinFET模型拟合到VOFF。

公开(公告)号：US20140201700A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：US13970806

申请日：2013-08-20

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Wilfried Ernest-August HAENSCH ,  Chung-Hsun Lin ,  Philip J. Oldiges ,  Hailing Wang ,  Richard Q. Williams

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

Abstract: A method for modeling FinFET width quantization is described. The method includes fitting a FinFET model of a FinFET device to single fin current/voltage characteristics. The FinFET device comprises a plurality of fins. The method includes obtaining statistical data of at least one sample FinFET device. The statistical data includes DIBL data and SS data. The method also includes fitting the FinFET model to a variation in a current to turn off the finFETs device (IOFF) in the statistical data using the DIBL data and the SS data and determining a model for a voltage to turn off the finFETs device (VOFF). The method also includes fitting the FinFET model to the VOFF.

Abstract translation: 描述了一种用于对FinFET宽度量化进行建模的方法。 该方法包括将FinFET器件的FinFET模型拟合到单个鳍电流/电压特性。 FinFET器件包括多个翅片。 该方法包括获得至少一个样本FinFET器件的统计数据。 统计数据包括DIBL数据和SS数据。 该方法还包括使用DIBL数据和SS数据将FinFET模型拟合到电流变化以关闭统计数据中的finFET器件（IOFF），并且确定用于关断finFET器件（VOFF）的电压模型 ）。 该方法还包括将FinFET模型拟合到VOFF。

公开(公告)号：US08806415B1

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13768112

申请日：2013-02-15

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Hanyi Ding ,  Kai D. Feng ,  Hailing Wang

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036 ,  G06F2217/40

Abstract: A method of modeling an integrated circuit chip includes generating a model of a bond pad using a design tool running on a computer device. The method also includes connecting a first inductor, a first resistor, and a first set of parallel-resistor-inductor elements in series between a first node and a second node in the model. The method further includes connecting a second inductor, a second resistor, and a second set of parallel-resistor-inductor elements in series between the second node and a third node in the model. The first node corresponds to a first signal port of the bond pad. The second node corresponds to a second signal port of the bond pad.

Abstract translation: 对集成电路芯片进行建模的方法包括使用在计算机设备上运行的设计工具来生成焊盘的模型。 该方法还包括在模型中的第一节点和第二节点之间串联连接第一电感器，第一电阻器和第一组并联电阻器 - 电感器元件。 该方法还包括在模型中的第二节点和第三节点之间串联连接第二电感器，第二电阻器和第二组并联电阻器 - 电感器元件。 第一个节点对应于接合焊盘的第一个信号端口。 第二节点对应于接合焊盘的第二信号端口。

公开(公告)号：US09058441B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US14317013

申请日：2014-06-27

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Wilfried Ernest-August Haensch ,  Chung-Hsun Lin ,  Philip J. Oldiges ,  Hailing Wang ,  Richard Q. Williams

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

Abstract: A method for modeling FinFET width quantization is described. The method includes fitting a FinFET model of a FinFET device to single fin current/voltage characteristics. The FinFET device comprises a plurality of fins. The method includes obtaining statistical data of at least one sample FinFET device. The statistical data includes DIBL data and SS data. The method also includes fitting the FinFET model to a variation in a current to turn off the finFETs device (IOFF) in the statistical data using the DIBL data and the SS data and determining a model for a voltage to turn off the finFETs device (VOFF). The method also includes fitting the FinFET model to the VOFF.

Abstract translation: 描述了一种用于对FinFET宽度量化进行建模的方法。 该方法包括将FinFET器件的FinFET模型拟合到单个鳍电流/电压特性。 FinFET器件包括多个翅片。 该方法包括获得至少一个样本FinFET器件的统计数据。 统计数据包括DIBL数据和SS数据。 该方法还包括使用DIBL数据和SS数据将FinFET模型拟合到电流变化以关闭统计数据中的finFET器件（IOFF），并且确定用于关断finFET器件（VOFF）的电压模型 ）。 该方法还包括将FinFET模型拟合到VOFF。

公开(公告)号：US20140097858A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：US13647719

申请日：2012-10-09

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Hanyi Ding ,  Kai D. Feng ,  Hailing Wang ,  Zhijian Yang

IPC: G01R31/00

CPC classification number: G01R31/2824 ,  H03K3/0315

Abstract: A test circuit for a ring oscillator comprising a plurality of inverting stages includes a power supply, the power supply configured to provide a voltage to the plurality of inverting stages of the ring oscillator at a power output; and a power sensing resistor located between the power output of the power supply and direct current (DC) bias inputs of the inverting stages of the ring oscillator, wherein a signal from the power sensing resistor is configured to be monitored to determine a characteristic of the ring oscillator.

Abstract translation: 包括多个反相级的环形振荡器的测试电路包括电源，所述电源被配置为在功率输出时向所述环形振荡器的所述多个反相级提供电压; 以及位于电源的功率输出和环形振荡器的反相级的直流（DC）偏置输入之间的功率感测电阻器，其中来自功率感测电阻器的信号被配置为被监视以确定 环形振荡器。

公开(公告)号：US09217769B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US13647719

申请日：2012-10-09

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Hanyi Ding ,  Kai D. Feng ,  Hailing Wang ,  Zhijian Yang

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/28 ,  H03K3/03

CPC classification number: G01R31/2824 ,  H03K3/0315

Abstract: A test circuit for a ring oscillator comprising a plurality of inverting stages includes a power supply, the power supply configured to provide a voltage to the plurality of inverting stages of the ring oscillator at a power output; and a power sensing resistor located between the power output of the power supply and direct current (DC) bias inputs of the inverting stages of the ring oscillator, wherein a signal from the power sensing resistor is configured to be monitored to determine a characteristic of the ring oscillator.

Abstract translation: 包括多个反相级的环形振荡器的测试电路包括电源，所述电源被配置为在功率输出时向所述环形振荡器的所述多个反相级提供电压; 以及位于电源的功率输出和环形振荡器的反相级的直流（DC）偏置输入之间的功率感测电阻器，其中来自功率感测电阻器的信号被配置为被监视以确定 环形振荡器。

公开(公告)号：US20140310676A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：US14317013

申请日：2014-06-27

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Wilfried Ernest-August Haensch ,  Chung-Hsun Lin ,  Philip J. Oldiges ,  Hailing Wang ,  Richard Q. Williams

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

Abstract: A method for modeling FinFET width quantization is described. The method includes fitting a FinFET model of a FinFET device to single fin current/voltage characteristics. The FinFET device comprises a plurality of fins The method includes obtaining statistical data of at least one sample FinFET device. The statistical data includes DIBL data and SS data. The method also includes fitting the FinFET model to a variation in a current to turn off the finFETs device (IOFF) in the statistical data using the DIBL data and the SS data and determining a model for a voltage to turn off the finFETs device (VOFF). The method also includes fitting the FinFET model to the VOFF.

Abstract translation: 描述了一种用于对FinFET宽度量化进行建模的方法。 该方法包括将FinFET器件的FinFET模型拟合到单个鳍电流/电压特性。 FinFET器件包括多个鳍片。该方法包括获得至少一个样本FinFET器件的统计数据。 统计数据包括DIBL数据和SS数据。 该方法还包括使用DIBL数据和SS数据将FinFET模型拟合到电流变化以关闭统计数据中的finFET器件（IOFF），并且确定用于关断finFET器件（VOFF）的电压模型 ）。 该方法还包括将FinFET模型拟合到VOFF。

公开(公告)号：US08806419B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13970806

申请日：2013-08-20

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Wilfried Ernest-August Haensch ,  Chung-Hsun Lin ,  Philip J. Oldiges ,  Hailing Wang ,  Richard Q. Williams

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

Abstract: A method for modeling FinFET width quantization is described. The method includes fitting a FinFET model of a FinFET device to single fin current/voltage characteristics. The FinFET device comprises a plurality of fins. The method includes obtaining statistical data of at least one sample FinFET device. The statistical data includes DIBL data and SS data. The method also includes fitting the FinFET model to a variation in a current to turn off the finFETs device (IOFF) in the statistical data using the DIBL data and the SS data and determining a model for a voltage to turn off the finFETs device (VOFF). The method also includes fitting the FinFET model to the VOFF.

Abstract translation: 描述了一种用于对FinFET宽度量化进行建模的方法。 该方法包括将FinFET器件的FinFET模型拟合到单个鳍电流/电压特性。 FinFET器件包括多个翅片。 该方法包括获得至少一个样本FinFET器件的统计数据。 统计数据包括DIBL数据和SS数据。 该方法还包括使用DIBL数据和SS数据将FinFET模型拟合到电流变化以关闭统计数据中的finFET器件（IOFF），并且确定用于关断finFET器件（VOFF）的电压模型 ）。 该方法还包括将FinFET模型拟合到VOFF。

公开(公告)号：US20140201699A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：US13741490

申请日：2013-01-15

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Wilfried Ernest-August HAENSCH ,  Chung-Hsun Lin ,  Philip J. Oldiges ,  Hailing Wang ,  Richard Q. Williams

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

Abstract: A method for modeling FinFET width quantization is described. The method includes fitting a FinFET model of a FinFET device to single fin current/voltage characteristics. The FinFET device comprises a plurality of fins. The method includes obtaining statistical data of at least one sample FinFET device. The statistical data includes DIBL data and SS data. The method also includes fitting the FinFET model to a variation in a current to turn off the finFETs device (IOFF) in the statistical data using the DIBL data and the SS data and determining a model for a voltage to turn off the finFETs device (VOFF). The method also includes fitting the FinFET model to the VOFF.

Abstract translation: 描述了一种用于对FinFET宽度量化进行建模的方法。 该方法包括将FinFET器件的FinFET模型拟合到单个鳍电流/电压特性。 FinFET器件包括多个翅片。 该方法包括获得至少一个样本FinFET器件的统计数据。 统计数据包括DIBL数据和SS数据。 该方法还包括使用DIBL数据和SS数据将FinFET模型拟合到电流变化以关闭统计数据中的finFET器件（IOFF），并且确定用于关断finFET器件（VOFF）的电压模型 ）。 该方法还包括将FinFET模型拟合到VOFF。