公开(公告)号：US07452817B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US11543200

申请日：2006-10-05

申请人： Ilyoung Yoon ,  Jae Ouk Choo ,  JaEung Koo

发明人： Ilyoung Yoon ,  Jae Ouk Choo ,  JaEung Koo

IPC分类号： H01L21/032 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76819 ,  H01L21/31053

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) method is disclosed for use in the fabrication of a semiconductor device having dense and sparse regions. The method uses an abrasive stop layer formed on the dense and sparse regions to control polishing of a material layer formed on the abrasive stop layer by a rigid, fixed abrasive polishing pad.

摘要翻译： 公开了用于制造具有致密和稀疏区域的半导体器件的化学机械抛光（CMP）方法。 该方法使用形成在致密和稀疏区域上的研磨停止层来控制通过刚性固定的研磨抛光垫在研磨停止层上形成的材料层的抛光。

公开(公告)号：US20070167014A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11543200

申请日：2006-10-05

申请人： Ilyoung Yoon ,  Jae Ouk Choo ,  JaEung Koo

发明人： Ilyoung Yoon ,  Jae Ouk Choo ,  JaEung Koo

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76819 ,  H01L21/31053

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) method is disclosed for use in the fabrication of a semiconductor device having dense and sparse regions. The method uses an abrasive stop layer formed on the dense and sparse regions to control polishing of a material layer formed on the abrasive stop layer by a rigid, fixed abrasive polishing pad.

摘要翻译： 公开了用于制造具有致密和稀疏区域的半导体器件的化学机械抛光（CMP）方法。 该方法使用形成在致密和稀疏区域上的研磨停止层来控制通过刚性固定的研磨抛光垫在研磨停止层上形成的材料层的抛光。