公开(公告)号：US20150014678A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：US14107423

申请日：2013-12-16

申请人： Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University ,  Samsung Display Co., Ltd.

发明人： Ji-Won Han ,  Tae-Woong Kim ,  Seong-Il Im ,  Young-Tack Lee ,  Pyo-Jin Jeon

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, the method includes: providing a gate electrode on a substrate; providing a first interlayer insulating layer to cover the gate electrode on the substrate; providing an oxide semiconductor layer corresponding to the gate electrode on the first interlayer insulating layer; providing a source electrode and a drain electrode, which are in contact with the oxide semiconductor layer, on the first interlayer insulating layer; and heat-treating the oxide semiconductor layer using Joule heat generated therein from a flow of a drain current by applying a voltage to the source electrode or the drain electrode.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上设置栅电极; 提供第一层间绝缘层以覆盖基板上的栅电极; 在所述第一层间绝缘层上提供与所述栅电极对应的氧化物半导体层; 在所述第一层间绝缘层上提供与所述氧化物半导体层接触的源电极和漏电极; 以及通过向所述源电极或所述漏电极施加电压，使用从漏电流的流中产生的焦耳热来对所述氧化物半导体层进行热处理。