公开(公告)号：US20160064534A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：US14935139

申请日：2015-11-06

申请人： Infineon Technologes Austria AG

发明人： Romain Esteve ,  Cédric Ouvrard

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/66909 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/8083

摘要： A method of manufacturing a vertical junction field effect transistor (JFET) includes forming a drain in a semiconductor substrate, forming a compound semiconductor epitaxial layer on the semiconductor substrate, and forming a source, a gate, a drift region, and a body diode all in the same compound semiconductor epitaxial layer. The drain is vertically spaced apart from the source and the gate by the drift region. The body diode is connected between the drain and the source.

摘要翻译： 制造垂直结型场效应晶体管（JFET）的方法包括：在半导体衬底中形成漏极，在半导体衬底上形成化合物半导体外延层，以及形成源极，栅极，漂移区域和体二极管 在相同的化合物半导体外延层中。 漏极与源极和栅极垂直间隔开漂移区。 体二极管连接在漏极和源极之间。