公开(公告)号：US20160064152A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：US14932576

申请日：2015-11-04

Applicant: Intel Corporation

Inventor： Donald S. Gardner ,  Charles W. Holzwarth ,  Win Jei

IPC: H01G11/26 ,  C25F3/02 ,  H01G11/32 ,  H01G11/86 ,  H01G11/50 ,  H01G11/52

CPC classification number: H01G11/26 ,  C25F3/02 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14 ,  H01G11/32 ,  H01G11/50 ,  H01G11/52 ,  H01G11/86 ,  H01L28/82 ,  H01M4/0442 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/76 ,  H01M4/80 ,  H01M2004/021 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/49126

Abstract: Embodiments of the invention describe energy storage devices, porous electrodes, and methods of formation. In an embodiment, an energy storage device includes a porous structure containing multiple main channels that extend into an electrically conductive structure at an acute angle. In an embodiment, an energy storage device includes a porous structure containing an array of V-groove or pyramid recesses.

Abstract translation: 本发明的实施例描述了储能装置，多孔电极和形成方法。 在一个实施例中，能量存储装置包括多孔结构，其包含以锐角延伸到导电结构中的多个主通道。 在一个实施例中，能量存储装置包括含有V形槽或金字塔凹槽阵列的多孔结构。