公开(公告)号：US20130136921A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13738563

申请日：2013-01-10

申请人： Intermolecular Inc.

发明人： Guowen Ding ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Minh Huu Lee ,  Zhi-Wen Wen Sun

IPC分类号： C23C14/08

CPC分类号： C23C14/086 ,  C23C14/024 ,  C23C14/5806 ,  Y10T428/12549 ,  Y10T428/265

摘要： A method for forming and protecting high quality bismuth oxide films comprises depositing a transparent thin film on a substrate comprising one of Si, alkali metals, or alkaline earth metals. The transparent thin film is stable at room temperature and at higher temperatures and serves as a diffusion barrier for the diffusion of impurities from the substrate into the bismuth oxide. Reactive sputtering, sputtering from a compound target, or reactive evaporation are used to deposit a bismuth oxide film above the diffusion barrier.

摘要翻译： 用于形成和保护高质量氧化铋膜的方法包括在包含Si，碱金属或碱土金属之一的衬底上沉积透明薄膜。 透明薄膜在室温和较高温度下是稳定的，并且用作扩散阻挡层，用于将杂质从基底扩散到氧化铋中。 使用反应溅射，来自化合物靶的溅射或反应性蒸发来在扩散阻挡层上沉积氧化铋膜。