公开(公告)号：US5022979A

公开(公告)日：1991-06-11

申请号：US262531

申请日：1988-10-25

申请人： Isamu Hijikata ,  Akira Uehara ,  Mitsuo Samezawa

发明人： Isamu Hijikata ,  Akira Uehara ,  Mitsuo Samezawa

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32559 ,  Y10S156/914

摘要： An electrode for use in the treatment of an object such as a semiconductor wafer through plasma reaction has at least a surface layer formed of silicon carbide. The electrode comprises a base, and the surface layer of silicon carbide is formed on a surface of the base by a CVD coating process.

摘要翻译： 用于通过等离子体反应处理诸如半导体晶片的物体的电极至少具有由碳化硅形成的表面层。 电极包括基底，并且通过CVD涂覆工艺在基底的表面上形成碳化硅表面层。

公开(公告)号：US5006220A

公开(公告)日：1991-04-09

申请号：US479988

申请日：1990-02-14

申请人： Isamu Hijikata ,  Akira Uehara ,  Mitsuo Samezawa

发明人： Isamu Hijikata ,  Akira Uehara ,  Mitsuo Samezawa

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01H1/46 ,  B01J19/12 ,  C23F4/04

CPC分类号： H01J37/32559 ,  Y10S156/914

摘要： An electrode for use in the treatment of an object such as a semiconductor wafer through plasma reaction has at least a surface layer formed of silicon carbide. The electrode comprises a base, and the surface layer of silicon carbide is formed on a surface of the base by CVD coating process.

摘要翻译： 用于通过等离子体反应处理诸如半导体晶片的物体的电极至少具有由碳化硅形成的表面层。 电极包括基底，并且通过CVD涂覆工艺在基底的表面上形成碳化硅表面层。