公开(公告)号：US20140068203A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US14013275

申请日：2013-08-29

申请人： JONG PIL SON ,  CHUL WOO PARK ,  HAK SOO YU ,  HONG SUN HWANG

发明人： JONG PIL SON ,  CHUL WOO PARK ,  HAK SOO YU ,  HONG SUN HWANG

IPC分类号： G06F3/06

CPC分类号： G06F3/061 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0676 ,  G06F3/068 ,  G06F13/1642 ,  G11C7/00 ,  G11C7/1048 ,  G11C11/4076 ,  Y02D10/14

摘要： A memory system includes a memory device and a memory controller. The memory device includes a plurality of memory cells. The memory controller is configured to continuously perform a plurality of write commands on the memory device between an active command and a precharge command. In the memory system, when after a first write operation having a last write command of the plurality of write commands is performed and then the precharge command is issued, the last write command is issued for a second write operation after the precharge command. The first write operation and the second write operation write a same data to memory cells of plurality of memory cells having a same address.

摘要翻译： 存储器系统包括存储器件和存储器控制器。 存储装置包括多个存储单元。 存储器控制器被配置为在活动命令和预充电命令之间在存储器设备上连续地执行多个写入命令。 在存储器系统中，当执行了具有多个写入命令的最后写入命令的第一次写入操作之后，然后执行预充电命令时，在预充电命令之后发出最后一个写入命令用于第二次写入操作。 第一写入操作和第二写入操作将相同的数据写入具有相同地址的多个存储单元的存储单元。