公开(公告)号：US06364730B1

公开(公告)日：2002-04-02

申请号：US09484930

申请日：2000-01-18

申请人： James E. Jaskie ,  Albert Alec Talin ,  Paul VonAllmen ,  Bernard F. Coll ,  Kathleen Anne Tobin

发明人： James E. Jaskie ,  Albert Alec Talin ,  Paul VonAllmen ,  Bernard F. Coll ,  Kathleen Anne Tobin

IPC分类号： H01J902

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J2209/017 ,  H01J2209/0226

摘要： A method for operating a field emission device (100) having an electron emitter (115) includes the steps of providing an emitter-enhancing electrode (117) proximate to electron emitter (115), causing emitter-enhancing electrode (117) to emit electrons, and causing the electrons emitted by emitter-enhancing electrode (117) to be received by electron emitter (115). A method for fabricating a field emission device (100) includes the steps of forming a layer (126) of dielectric material, forming emitter-enhancing electrode (117) on layer (126) of dielectric material, forming an enhanced-emission structure (131) in emitter-enhancing electrode (117), removing a portion of layer (126) of dielectric material proximate to enhanced-emission structure (131) to form a well (114, 158), and forming electron emitter (115) within well (114, 158).

摘要翻译： 一种用于操作具有电子发射器（115）的场致发射器件（100）的方法包括以下步骤：提供靠近电子发射器（115）的发射极增强电极（117），使发射极增强电极（117）发射电子 并且使由发射极增强电极（117）发射的电子被电子发射器（115）接收。 一种用于制造场发射器件（100）的方法包括以下步骤：形成介电材料层（126），在电介质材料的层（126）上形成发射极增强电极（117），形成增强发射结构（131 ）在发射极增强电极（117）中，去除靠近增强发射结构（131）的介电材料层（126）的一部分以形成阱（114,158），并在阱内形成电子发射器（115） 114，158）。

公开(公告)号：US06400068B1

公开(公告)日：2002-06-04

申请号：US09484665

申请日：2000-01-18

申请人： James E. Jaskie ,  Albert Alec Talin ,  Bernard F. Coll ,  Kathleen Anne Tobin

发明人： James E. Jaskie ,  Albert Alec Talin ,  Bernard F. Coll ,  Kathleen Anne Tobin

IPC分类号： H01J1304

CPC分类号： H01J3/022

摘要： A field emission device (100) includes an electron emitter (115) and an emitter-enhancing electrode (117) having an enhanced-emission structure (131), which is disposed proximate to electron emitter (115). Enhanced-emission structure (131) is embodied by, for example, each of the following structures: a tapered portion (118) of emitter-enhancing electrode (117), an electron-emissive edge (135) that is generally parallel to an axis (136) of electron emitter (115), a combination of a conductive layer (137) and an electron-emissive layer (138) that is disposed proximate to an edge (133) of conductive layer (137), and an electron-emissive layer (146) having a thickness of less than about 500 angstroms.

摘要翻译： 场致发射器件（100）包括电子发射器（115）和具有增强发射结构（131）的发射极增强电极（117），其设置在电子发射器（115）附近。 增强发射结构（131）通过例如以下每个结构实现：发射极增强电极（117）的锥形部分（118），大致平行于轴线的电子发射边缘（135） 电子发射器（115）的电极（136），靠近导电层（137）的边缘（133）设置的导电层（137）和电子发射层（138）的组合，以及电子发射 层（146）具有小于约500埃的厚度。