公开(公告)号：US20060014018A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US10261148

申请日：2002-09-30

申请人： James Gole ,  Z.L. Wang

发明人： James Gole ,  Z.L. Wang

IPC分类号： B32B15/02

CPC分类号： C04B35/62805 ,  B01J23/14 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/18 ,  C04B35/62884 ,  C04B35/62889 ,  C04B35/62892 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/549 ,  C30B29/16 ,  C30B29/605 ,  Y10T428/2989

摘要： Nanostructures and methods of fabrication thereof are disclosed. One representative nanostructure includes a silicon dioxide (SiO2)/tin oxide (SnOx) nanostructure, where x is between about 1 to about 2. The SiO2/SnOx nanostructure includes a SiO2 nanostructure having SnOx nanoclusters dispersed over a portion of the surface of the SiO2 nanostructure.

摘要翻译： 公开了纳米结构及其制造方法。 一个代表性的纳米结构包括二氧化硅（SiO 2）/氧化锡（SnO x X）纳米结构，其中x在约1至约2之间.SiO 2 纳米结构的纳米结构包括分散在SiO 2纳米结构。