公开(公告)号：US4201999A

公开(公告)日：1980-05-06

申请号：US944815

申请日：1978-09-22

申请人： James K. Howard ,  Frank E. Turene ,  James F. White

发明人： James K. Howard ,  Frank E. Turene ,  James F. White

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/48 ,  H01L23/48 ,  H01L29/56

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/28537 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  Y10S148/139

摘要： A low barrier Schottky Barrier Diode (SBD) utilizing a metallurgical diffusion barrier between a transition metal barrier contact and an aluminum base land pattern to prevent interaction therebetween. The diffusion barrier comprises a discretely formed layer of an intermetallic of the transition metal and aluminum.

摘要翻译： 低阻挡肖特基势垒二极管（SBD），其利用过渡金属屏障接触和铝基地面图案之间的冶金扩散阻挡层以防止它们之间的相互作用。 扩散阻挡层包括离子形成的过渡金属和铝的金属间化合物层。