公开(公告)号：US06245686B1

公开(公告)日：2001-06-12

申请号：US09586828

申请日：2000-06-05

申请人： Jeffrey D. Rose ,  Michael J. Hartig ,  David G. Farber ,  Danny R. Babbitt ,  Jason A. Rivers ,  Ai Koh ,  Terry G. Sparks

发明人： Jeffrey D. Rose ,  Michael J. Hartig ,  David G. Farber ,  Danny R. Babbitt ,  Jason A. Rivers ,  Ai Koh ,  Terry G. Sparks

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01L21/31116

摘要： A process for forming a semiconductor device includes placing a substrate (104) into an apparatus (300), creating a plasma, and processing the substrate (104). The apparatus (300) includes an electromagnetic source (120), a bulk material (302), and a first barrier layer (304). The bulk material (302) is between the electromagnetic source (120) and an interior (126) of the apparatus (300). The first barrier layer (304) is between the bulk material (302) and the interior (126). A process for operating an apparatus (300) includes forming a polymer layer along an inorganic layer (302, 306or 702), wherein the polymer layer is formed within the apparatus (300); removing the polymer layer to expose the inorganic layer (302, 306, or 702); and etching at least a portion of the exposed inorganic layer (302, 306, or 702). Typically, the inorganic layer (203, 306, or 702) is semiconductive or resistive.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的工艺包括将衬底（104）放入设备（300）中，产生等离子体，以及处理衬底（104）。 装置（300）包括电磁源（120），散装材料（302）和第一阻挡层（304）。 散装材料（302）位于电磁源（120）和装置（300）的内部（126）之间。 第一阻挡层（304）在散装材料（302）和内部（126）之间。 用于操作设备（300）的方法包括沿着无机层（302,306或702）形成聚合物层，其中聚合物层形成在设备（300）内; 除去聚合物层以暴露无机层（302,306或702）; 并蚀刻所述暴露的无机层（302,306或702）的至少一部分。 通常，无机层（203,306或702）是半导体或电阻的。