公开(公告)号：US20070120147A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11598551

申请日：2006-11-13

申请人： Walter Nagy ,  Ricardo Borges ,  Jeffrey Brown ,  Apurva Chaudhari ,  James Cook ,  Allen Hanson ,  Jerry Johnson ,  Kevin Linthicum ,  Edwin Piner ,  Pradeep Rajagopal ,  John Roberts ,  Sameer Singhal ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan

发明人： Walter Nagy ,  Ricardo Borges ,  Jeffrey Brown ,  Apurva Chaudhari ,  James Cook ,  Allen Hanson ,  Jerry Johnson ,  Kevin Linthicum ,  Edwin Piner ,  Pradeep Rajagopal ,  John Roberts ,  Sameer Singhal ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： Gallium nitride material transistors and methods associated with the same are provided. The transistors may be used in power applications by amplifying an input signal to produce an output signal having increased power. The transistors may be designed to transmit the majority of the output signal within a specific transmission channel (defined in terms of frequency), while minimizing transmission in adjacent channels. This ability gives the transistors excellent linearity which results in high signal quality and limits errors in transmitted data. The transistors may be designed to achieve low ACPR values (a measure of excellent linearity), while still operating at high drain efficiencies and/or high output powers. Such properties enable the transistors to be used in RF power applications including third generation (3G) power applications based on W-CDMA modulation.

摘要翻译： 提供了氮化镓材料晶体管和与之相关的方法。 晶体管可以通过放大输入信号来产生具有增加的功率的输出信号在功率应用中使用。 晶体管可以设计成在特定传输信道（以频率定义）的情况下传输大部分输出信号，同时最小化相邻信道中的传输。 这种能力使晶体管具有良好的线性度，导致高信号质量并限制了传输数据中的误差。 晶体管可以设计成实现低ACPR值（优良线性度量），同时仍然以高漏电效率和/或高输出功率工作。 这种特性使晶体管能够用于包括基于W-CDMA调制的第三代（3G）功率应用的射频功率应用中。

公开(公告)号：US20050145851A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10879695

申请日：2004-06-28

申请人： Jerry Johnson ,  Ricardo Borges ,  Jeffrey Brown ,  James Cook ,  Allen Hanson ,  Edwin Piner ,  Pradeep Rajagopal ,  John Roberts ,  Sameer Singhal ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan

发明人： Jerry Johnson ,  Ricardo Borges ,  Jeffrey Brown ,  James Cook ,  Allen Hanson ,  Edwin Piner ,  Pradeep Rajagopal ,  John Roberts ,  Sameer Singhal ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/329 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/872 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/7605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/872

摘要： Gallium nitride material structures, including devices, and methods associated with the same are provided. In some embodiments, the structures include one or more isolation regions which electrically isolate adjacent devices. One aspect of the invention is the discovery that the isolation regions also can significantly reduce the leakage current of devices (e.g., transistors) made from the structures, particularly devices that also include a passivating layer formed on a surface of the gallium nitride material. Lower leakage currents can result in increased power densities and operating voltages, amongst other advantages.

摘要翻译： 提供了氮化镓材料结构，包括器件和与其相关的方法。 在一些实施例中，结构包括一个或多个隔离相邻器件的隔离区域。 本发明的一个方面是发现隔离区域还可以显着地减少由结构制成的器件（例如，晶体管）的泄漏电流，特别是还包括形成在氮化镓材料表面上的钝化层的器件。 较低的漏电流可以导致增加的功率密度和工作电压以及其它优点。

公开(公告)号：US20050167775A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US10913297

申请日：2004-08-05

申请人： Walter Nagy ,  Ricardo Borges ,  Jeffrey Brown ,  Apurva Chaudhari ,  James Cook ,  Allen Hanson ,  Jerry Johnson ,  Kevin Linthicum ,  Edwin Piner ,  Pradeep Rajagopal ,  John Roberts ,  Sameer Singhal ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan

发明人： Walter Nagy ,  Ricardo Borges ,  Jeffrey Brown ,  Apurva Chaudhari ,  James Cook ,  Allen Hanson ,  Jerry Johnson ,  Kevin Linthicum ,  Edwin Piner ,  Pradeep Rajagopal ,  John Roberts ,  Sameer Singhal ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： Gallium nitride material transistors and methods associated with the same are provided. The transistors may be used in power applications by amplifying an input signal to produce an output signal having increased power. The transistors may be designed to transmit the majority of the output signal within a specific transmission channel (defined in terms of frequency), while minimizing transmission in adjacent channels. This ability gives the transistors excellent linearity which results in high signal quality and limits errors in transmitted data. The transistors may be designed to achieve low ACPR values (a measure of excellent linearity), while still operating at high drain efficiencies and/or high output powers. Such properties enable the transistors to be used in RF power applications including third generation (3G) power applications based on W-CDMA modulation.

摘要翻译： 提供了氮化镓材料晶体管和与之相关的方法。 晶体管可以通过放大输入信号来产生具有增加的功率的输出信号在功率应用中使用。 晶体管可以设计成在特定传输信道（以频率定义）的情况下传输大部分输出信号，同时最小化相邻信道中的传输。 这种能力使晶体管具有良好的线性度，导致高信号质量并限制了传输数据中的误差。 晶体管可以设计成实现低ACPR值（优良线性度量），同时仍然以高漏电效率和/或高输出功率工作。 这种特性使晶体管能够用于包括基于W-CDMA调制的第三代（3G）功率应用的射频功率应用中。

公开(公告)号：US20050133818A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10740376

申请日：2003-12-17

申请人： Jerry Johnson ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan ,  Jeffrey Brown

发明人： Jerry Johnson ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan ,  Jeffrey Brown

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/329 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L29/66212 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/872

摘要： Gallium nitride material devices and methods of forming the same are provided. The devices include an electrode-defining layer. The electrode-defining layer typically has a via formed therein in which an electrode is formed (at least in part). Thus, the via defines (at least in part) dimensions of the electrode. In some cases, the electrode-defining layer is a passivating layer that is formed on a gallium nitride material region.

摘要翻译： 提供了氮化镓材料器件及其形成方法。 这些装置包括电极限定层。 电极限定层通常形成有在其中形成电极（至少部分）的通孔。 因此，通孔限定（至少部分地）电极的尺寸。 在一些情况下，电极限定层是形成在氮化镓材料区域上的钝化层。

公开(公告)号：US20060249750A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11477834

申请日：2006-06-29

申请人： Jerry Johnson ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan ,  Jeffrey Brown

发明人： Jerry Johnson ,  Robert Therrien ,  Andrei Vescan ,  Jeffrey Brown

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L29/66212 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/872

摘要： Gallium nitride material devices and methods of forming the same are provided. The devices include an electrode-defining layer. The electrode-defining layer typically has a via formed therein in which an electrode is formed (at least in part). Thus, the via defines (at least in part) dimensions of the electrode. In some cases, the electrode-defining layer is a passivating layer that is formed on a gallium nitride material region.

摘要翻译： 提供了氮化镓材料器件及其形成方法。 这些装置包括电极限定层。 电极限定层通常形成有在其中形成电极（至少部分）的通孔。 因此，通孔限定（至少部分地）电极的尺寸。 在一些情况下，电极限定层是形成在氮化镓材料区域上的钝化层。

公开(公告)号：USD1019654S1

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：US29741743

申请日：2020-07-15

申请人： Jeffrey Brown

设计人： Jeffrey Brown

摘要： FIG. 1 is a perspective view of the Arduino matrix screen enclosure;
FIG. 2 is a back view thereof;
FIG. 3 is a right side view thereof;
FIG. 4 is a left side view thereof;
FIG. 5 is a top side view thereof;
FIG. 6 is a bottom view thereof; and,
FIG. 7 is an exploded view thereof.

公开(公告)号：US08479767B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12900772

申请日：2010-10-08

申请人： Shmuel Dovid Newman ,  Jeffrey Brown

发明人： Shmuel Dovid Newman ,  Jeffrey Brown

IPC分类号： F16K24/00

CPC分类号： F17C13/04 ,  F17C2205/0332 ,  F17C2205/0385 ,  F17C2205/0394 ,  F17C2221/035 ,  F17C2223/0153 ,  F17C2223/033 ,  F17C2260/022 ,  Y10T137/86332

摘要： A combined fill and safety vent plug adapted to being mounted in a port in a pressure tank. A valve housing member is adapted to being mounted in a port in a pressure vessel. A fill valve is located in a fill valve socket in the valve housing member. A vent valve and an overflow system are also provided in the valve housing member. All of the functions of filling, venting, dispensing, and overflow protection are provided by elements contained in one single plug in one single port in a pressure vessel. For safety purposes, the vent valve dumps excess fluid generally laterally of the valve housing member.

摘要翻译： 组合的填充和安全通气塞适于安装在压力罐中的端口中。 阀壳构件适于安装在压力容器中的端口中。 填充阀位于阀壳体中的填充阀座中。 排气阀和溢流系统也设置在阀壳体中。 填充，排放，分配和溢流保护的所有功能由压力容器中一个单个端口中的一个单个插头中包含的元件提供。 为了安全起见，通气阀将多余的流体大体上排放到阀壳体的侧面。

公开(公告)号：US20110239877A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13161908

申请日：2011-06-16

申请人： Michael A. Grattan ,  Jeffrey Brown ,  Michael Krieg ,  Norton Delidow

发明人： Michael A. Grattan ,  Jeffrey Brown ,  Michael Krieg ,  Norton Delidow

IPC分类号： B41F17/00

CPC分类号： B05C1/02

摘要： The present invention is directed to an apparatus for applying markings, particularly to springs, that are clean (ink in self contained storage units), allows quick color changes and reduces wasted ink or paint. An application means that does not dry out during short down time periods, keeps up with production rates, and is cost effective.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于施加特别是清洁的标记（在自包含存储单元中的油墨）的标记的装置，允许快速的颜色变化并减少浪费的油墨或油漆。 应用意味着在短时间内不会干燥，与生产率保持一致，具有成本效益。

公开(公告)号：USD640345S1

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US29366497

申请日：2010-07-26

申请人： Kevin Corsello ,  Jeffrey Brown ,  Geoff Scott

设计人： Kevin Corsello ,  Jeffrey Brown ,  Geoff Scott

公开(公告)号：US20080239055A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12058072

申请日：2008-03-28

申请人： Michael A. Grattan ,  Jeffrey Brown ,  Michael Krieg ,  Norton Delidow

发明人： Michael A. Grattan ,  Jeffrey Brown ,  Michael Krieg ,  Norton Delidow

IPC分类号： B41J2/00

CPC分类号： B05C1/02

摘要： The present invention is directed to an apparatus for applying markings, particularly to springs, that are clean (ink in self contained storage units), allows quick color changes and reduces wasted ink or paint. An application means that does not dry out during short down time periods, keeps up with production rates, and is cost effective.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于施加特别是清洁的标记（在自包含存储单元中的油墨）的标记的装置，允许快速的颜色变化并减少浪费的油墨或油漆。 应用意味着在短时间内不会干燥，与生产率保持一致，具有成本效益。