公开(公告)号：US20110202178A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12737136

申请日：2008-05-22

申请人： Jia Zhen ,  Pel-Yuan Peng ,  Enwel Zhang ,  Feng Chen ,  Zisheng Cao

发明人： Jia Zhen ,  Pel-Yuan Peng ,  Enwel Zhang ,  Feng Chen ,  Zisheng Cao

IPC分类号： G06F19/00 ,  H04N7/18

CPC分类号： B66B13/26 ,  B66B13/143 ,  G06T7/73 ,  G06T2207/30232

摘要： A video-based system detects the position of elevator doors based on video data provided by one or more video detectors. Based on the detected position of the elevator doors, a distance between the elevator doors can be determined. The operation of the elevator doors is controlled based, at least in part, on the detected distance between the elevator doors.

摘要翻译： 基于视频的系统基于由一个或多个视频检测器提供的视频数据来检测电梯门的位置。 基于检测到的电梯门的位置，可以确定电梯门之间的距离。 至少部分地基于检测到的电梯门之间的距离来控制电梯门的操作。

公开(公告)号：US07323736B2

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US11438188

申请日：2006-05-22

申请人： Pradeep Yelehanka ,  Sanford Chu ,  Chit Hwei Ng ,  Jia Zhen ,  Purakh Verma

发明人： Pradeep Yelehanka ,  Sanford Chu ,  Chit Hwei Ng ,  Jia Zhen ,  Purakh Verma

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31629 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12035 ,  H01L2924/00

摘要： A new method of provided for forming in one plane layers of semiconductor material having both high and low dielectric constants. Layers, having selected and preferably non-identical parameters of dielectric constants, are successively deposited interspersed with layers of etch stop material. The layers can be etched, creating openings there-through that can be filled with a layer of choice.

摘要翻译： 一种提供用于在具有高和低介电常数的半导体材料的一个平面层中形成的新方法。 具有选择且优选不相同的介电常数参数的层被依次沉积，散布有蚀刻停止材料层。 这些层可以被蚀刻，在那里形成开口，通过这些层可以填充一层选择。

公开(公告)号：US07060193B2

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：US10189876

申请日：2002-07-05

申请人： Pradeep Yelehanka ,  Sanford Chu ,  Chit Hwei Ng ,  Jia Zhen ,  Purakh Verma

发明人： Pradeep Yelehanka ,  Sanford Chu ,  Chit Hwei Ng ,  Jia Zhen ,  Purakh Verma

IPC分类号： H01B13/00

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31629 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12035 ,  H01L2924/00

摘要： A new method of provided for forming in one plane layers of semiconductor material having both high and low dielectric constants. Layers, having selected and preferably non-identical parameters of dielectric constants, are successively deposited interspersed with layers of etch stop material. The layers can be etched, creating openings there-through that can be filled with a layer of choice.

摘要翻译： 一种提供用于在具有高和低介电常数的半导体材料的一个平面层中形成的新方法。 具有选择且优选不相同的介电常数参数的层被依次沉积，散布有蚀刻停止材料层。 这些层可以被蚀刻，在那里形成开口，通过这些层可以填充一层选择。