公开(公告)号：US5882468A

公开(公告)日：1999-03-16

申请号：US804600

申请日：1997-02-24

申请人： John G. Crockett ,  Bardia Pezeshki ,  Robert L. Sandstrom

发明人： John G. Crockett ,  Bardia Pezeshki ,  Robert L. Sandstrom

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L21/67069

摘要： By moving a substrate relative to a shadow mask in a reactive ion etching system, we are able to precisely tailor the thickness of critical layers. To minimize disturbing the plasma, all the mechanical components are kept below the anode. The system is highly reproducible, and can be programmed to yield arbitrary vertical profiles along one horizontal axis. Using silicon-on-insulator substrates, the resonance wavelength was modified as a function of position with better than 1 nm control in the vertical dimension. This technique should prove useful for optical devices where the thickness of the layers controls the device characteristics.

摘要翻译： 通过在反应离子蚀刻系统中相对于荫罩移动衬底，我们能够精确地定制临界层的厚度。 为了最小化扰乱等离子体，所有机械部件都保持在阳极下方。 该系统具有高度的可重复性，并且可以编程为沿着一个水平轴产生任意垂直剖面。 使用绝缘体上硅衬底，谐振波长作为垂直尺寸控制优于1nm的位置的函数进行了修改。 该技术对于其中层的厚度控制器件特性的光学器件应该是有用的。