公开(公告)号：US07374738B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US10492271

申请日：2002-10-10

申请人： John Kouvetakis ,  Ignatius S. Tsong ,  Levi Torrison ,  John Tolle

发明人： John Kouvetakis ,  Ignatius S. Tsong ,  Levi Torrison ,  John Tolle

IPC分类号： C01B35/10 ,  C01B21/082 ,  C01B33/00

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C01B21/0826 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/5805 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/465 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/3145 ,  H01L29/518

摘要： Novel superhard dielectric compounds useful as gate dielectrics discovered. Low temperature methods for making thin films of the compounds on substrate silicon are provided. The methods comprise the step of contacting a precursor having the formula H3X—O—XH3, wherein X is silicon or carbon with a compound comprising boron or nitrogen in a chemical vapor deposition (CVD) chamber or with one or more atomic elements in a molecular beam epitaxial deposition (MBE) chamber. These thin film constructs are useful as components of microelectronic devices, and specifically as gate dielectrics in CMOS devices.

摘要翻译： 发现了用作栅极电介质的新型超硬电介质化合物。 提供了在基板硅上制备化合物薄膜的低温方法。 该方法包括使具有式H 3 XO-XH 3 N的前体与其中X是硅或碳的化合物与化学气体中含有硼或氮的化合物接触的步骤 沉积（CVD）室或在分子束外延沉积（MBE）室中的一个或多个原子元素。 这些薄膜结构可用作微电子器件的组件，特别是CMOS器件中的栅极电介质。