公开(公告)号：US5315472A

公开(公告)日：1994-05-24

申请号：US734725

申请日：1991-07-23

申请人： Jon J. Fong ,  William B. Reid

发明人： Jon J. Fong ,  William B. Reid

IPC分类号： H05F3/02 ,  H05K1/02 ,  H05K9/00

CPC分类号： H05F3/02 ,  H05K1/0259 ,  H05K1/026 ,  H05K9/0067 ,  H05K1/0215 ,  H05K2201/09354 ,  H05K2201/10681

摘要： An electrostatic discharge structure protection structure formed on an interconnect circuit (20) that includes elongated interconnect lines (13) and interconnect contact pads (17) formed on a dielectric substrate (11) wherein portions of the interconnect circuit are subject to physical contact by a person. The electrostatic discharge protection structure includes an interconnected conductive grounding metallization ground pattern that includes a ground ring pattern (19) adjacent selected edges of the perimeter of the substrate and conductive metallization traces (29) adjacent selected edges of openings in the substrate. The electrostatic discharge protection structure further includes spark gaps (23a, 23b) formed between the interconnect pads and the conductive grounding pattern, and grounding pads (25') exposed by openings in the substrate.

摘要翻译： 一种形成在互连电路（20）上的静电放电结构保护结构，其包括形成在电介质基板（11）上的细长互连线（13）和互连接触焊盘（17），其中所述互连电路的部分被物理接触 人。 静电放电保护结构包括互连的导电接地金属化接地图案，其包括与衬底的周边的选定边缘相邻的接地环形图案（19）和与衬底中的开口的选定边缘相邻的导电金属化迹线（29）。 静电放电保护结构还包括在互连焊盘和导电接地图之间形成的火花隙（23a，23b）以及由衬底中的开口暴露的接地焊盘（25'）。

公开(公告)号：US5420208A

公开(公告)日：1995-05-30

申请号：US252549

申请日：1994-06-01

申请人： William B. Reid

发明人： William B. Reid

IPC分类号： C08K5/524 ,  C08K5/42 ,  C08K5/51 ,  C08K5/52 ,  C08L101/10 ,  C08J3/24

CPC分类号： C08L101/10 ,  C08K5/42 ,  C08K5/51

摘要： Esters which are substantially non acidic esters of P or S oxyacids, especially phosphite ester antioxidants, are curing catalysts for the moisture curing of silyl polymers such as polyethylene carrying pendant trialkoxysilyl groups. The esters catalyse cross linking without causing significant precure.

摘要翻译： 作为P或S含氧酸，特别是亚磷酸酯抗氧化剂的基本上非酸性酯的酯是用于甲硅烷基聚合物如含有三烷氧基甲硅烷基的聚乙烯的湿固化的固化催化剂。 酯催化交联而不引起显着的预固化。