公开(公告)号：US20140048945A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：US13927914

申请日：2013-06-26

申请人： Jong-Heun LIM ,  Hyo-Jung KIM ,  Ji-Woon IM ,  Kyung-Hyun KIM

发明人： Jong-Heun LIM ,  Hyo-Jung KIM ,  Ji-Woon IM ,  Kyung-Hyun KIM

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A nonvolatile memory device including a substrate which includes a cell array region and a connection region, an electrode structure formed on the cell array region and the connection region and including a plurality of laminated electrodes, a first recess formed in the electrode structure on the connection region and disposed between the cell array region and a second recess formed in the electrode structure on the connection region, and a plurality of vertical wirings formed on the plurality of electrodes exposed by the first recess.

摘要翻译： 一种非易失性存储器件，包括：包括单元阵列区域和连接区域的基板;形成在单元阵列区域上的电极结构和连接区域，并且包括多个层压电极;形成在电极结构中的第一凹部， 并且布置在单元阵列区域和形成在连接区域上的电极结构中的第二凹槽之间，以及形成在由第一凹部暴露的多个电极上的多个垂直布线。