公开(公告)号：US20150194595A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：US14492419

申请日：2014-09-22

申请人： Jongchul Park ,  Hyungjoon Kwon ,  Joonkyu Rhee

发明人： Jongchul Park ,  Hyungjoon Kwon ,  Joonkyu Rhee

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic memory device may include a lower electrode on a substrate, a memory element on the lower electrode, an upper electrode on the memory element, and a protection spacer enclosing a portion of a side surface of the lower electrode and protruding laterally from the side surface of the lower electrode. The protection spacer may have a bottom surface that is positioned at a level higher than that of a bottom surface of the lower electrode.

摘要翻译： 磁存储器件可以包括衬底上的下电极，下电极上的存储元件，存储元件上的上电极，以及包围下电极的侧表面的一部分并从侧面侧向突出的保护间隔件 下电极的表面。 保护间隔件可以具有位于比下电极的底表面高的位置的底表面。