公开(公告)号：US20100155883A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12609354

申请日：2009-10-30

申请人： Josef-Stefan Wenzler ,  Tyler Dunn ,  Shyamsunder Erramilli ,  Pritiraj Mohanty

发明人： Josef-Stefan Wenzler ,  Tyler Dunn ,  Shyamsunder Erramilli ,  Pritiraj Mohanty

IPC分类号： H01L27/02 ,  H02N11/00 ,  G01H11/06 ,  H01L41/107

CPC分类号： H03H9/02244 ,  H01L27/1203 ,  H03B5/04 ,  H03H3/0073 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/02393 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02314 ,  H03H2009/02496

摘要： An integrated MEMS and IC system (MEMSIC), as well as related methods, are described herein. According to some embodiments, a mechanical resonating structure is coupled to an electrical circuit (e.g., field-effect transistor). For example, the mechanical resonating structure may be coupled to a gate of a transistor. In some cases, the mechanical resonating structure and electrical circuit may be fabricated on the same substrate (e.g., Silicon (Si) and/or Silicon-on-Insulator (SOW and may be proximate to one another.

摘要翻译： 本文描述了集成的MEMS和IC系统（MEMSIC）以及相关方法。 根据一些实施例，机械谐振结构耦合到电路（例如场效应晶体管）。 例如，机械谐振结构可以耦合到晶体管的栅极。 在一些情况下，机械谐振结构和电路可以制造在相同的衬底（例如，硅（Si）和/或绝缘体上硅（SOW）上，并且可以彼此靠近。