公开(公告)号：US07344941B2

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：US11314293

申请日：2005-12-21

申请人： Jung-Gyu Kim

发明人： Jung-Gyu Kim

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of manufacturing a metal-insulator-metal capacitor are provided. An illustrated method includes: forming a lower metal electrode layer pattern for a metal-insulator-metal capacitor and a lower metal line layer pattern for a metal line on a first insulating layer on a semiconductor substrate; forming a second insulating layer covering the lower metal electrode layer pattern and the lower metal line layer pattern on the first insulating layer; forming a trench penetrating the second insulating layer and exposing the lower metal electrode layer pattern; forming a dielectric layer on the second insulating layer and on an exposed surface of the lower metal electrode layer pattern; forming a first mask layer pattern on at least a portion of the dielectric layer within the trench and on an edge portion of the trench; forming a second mask layer pattern on the first mask layer pattern and the dielectric layer, the second mask layer pattern having an opening exposing at least a portion of the dielectric layer in the metal line region; forming a via hole penetrating the dielectric layer and the second insulating layer and exposing at least a portion of the lower metal line layer pattern using the second mask layer pattern; removing the second mask layer pattern and the first mask layer pattern; and forming an upper metal electrode layer for a metal-insulator-metal capacitor on a portion of the dielectric layer within the trench, and forming a via contact connected to the lower metal line layer pattern within the via hole.

摘要翻译： 提供了制造金属 - 绝缘体 - 金属电容器的方法。 所示方法包括：在半导体衬底上的第一绝缘层上形成用于金属 - 绝缘体 - 金属电容器的下金属电极层图案和用于金属线的下金属线层图案; 在所述第一绝缘层上形成覆盖所述下金属电极层图案和所述下金属线层图案的第二绝缘层; 形成穿过所述第二绝缘层并暴露所述下部金属电极层图案的沟槽; 在所述第二绝缘层上和所述下金属电极层图案的暴露表面上形成电介质层; 在所述沟槽内和所述沟槽的边缘部分上的所述电介质层的至少一部分上形成第一掩模层图案; 在所述第一掩模层图案和所述电介质层上形成第二掩模层图案，所述第二掩模层图案具有暴露所述金属线区域中的所述电介质层的至少一部分的开口; 形成穿过介电层和第二绝缘层的通孔，并使用第二掩模层图案露出下金属线层图案的至少一部分; 去除所述第二掩模层图案和所述第一掩模层图案; 以及在所述沟槽内的所述电介质层的一部分上形成用于金属 - 绝缘体 - 金属电容器的上部金属电极层，以及形成在所述通孔内连接到所述下部金属线层图案的通孔接触。

公开(公告)号：US20060134879A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11314293

申请日：2005-12-21

申请人： Jung-Gyu Kim

发明人： Jung-Gyu Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of manufacturing a metal-insulator-metal capacitor are provided. An illustrated method includes: forming a lower metal electrode layer pattern for a metal-insulator-metal capacitor and a lower metal line layer pattern for a metal line on a first insulating layer on a semiconductor substrate; forming a second insulating layer covering the lower metal electrode layer pattern and the lower metal line layer pattern on the first insulating layer; forming a trench penetrating the second insulating layer and exposing the lower metal electrode layer pattern; forming a dielectric layer on the second insulating layer and on an exposed surface of the lower metal electrode layer pattern; forming a first mask layer pattern on at least a portion of the dielectric layer within the trench and on an edge portion of the trench; forming a second mask layer pattern on the first mask layer pattern and the dielectric layer, the second mask layer pattern having an opening exposing at least a portion of the dielectric layer in the metal line region; forming a via hole penetrating the dielectric layer and the second insulating layer and exposing at least a portion of the lower metal line layer pattern using the second mask layer pattern; removing the second mask layer pattern and the first mask layer pattern; and forming an upper metal electrode layer for a metal-insulator-metal capacitor on a portion of the dielectric layer within the trench, and forming a via contact connected to the lower metal line layer pattern within the via hole.

摘要翻译： 提供了制造金属 - 绝缘体 - 金属电容器的方法。 所示方法包括：在半导体衬底上的第一绝缘层上形成用于金属 - 绝缘体 - 金属电容器的下金属电极层图案和用于金属线的下金属线层图案; 在所述第一绝缘层上形成覆盖所述下金属电极层图案和所述下金属线层图案的第二绝缘层; 形成穿过所述第二绝缘层并暴露所述下部金属电极层图案的沟槽; 在所述第二绝缘层上和所述下金属电极层图案的暴露表面上形成电介质层; 在所述沟槽内和所述沟槽的边缘部分上的所述电介质层的至少一部分上形成第一掩模层图案; 在所述第一掩模层图案和所述电介质层上形成第二掩模层图案，所述第二掩模层图案具有暴露所述金属线区域中的所述电介质层的至少一部分的开口; 形成穿过介电层和第二绝缘层的通孔，并使用第二掩模层图案露出下金属线层图案的至少一部分; 去除所述第二掩模层图案和所述第一掩模层图案; 以及在所述沟槽内的所述电介质层的一部分上形成用于金属 - 绝缘体 - 金属电容器的上部金属电极层，以及形成在所述通孔内连接到所述下部金属线层图案的通孔接触。

公开(公告)号：US06220921B1

公开(公告)日：2001-04-24

申请号：US09413248

申请日：1999-10-07

申请人： Jung-Gyu Kim

发明人： Jung-Gyu Kim

IPC分类号： A63H3100

CPC分类号： A63H11/06

摘要： A movable frog toy includes a body, a mouth, a movable tongue, and front and rear legs. A sound generator is provided for simulating audible sounds of a real frog. A drive motor and transmission provide power and movement to the parts of the frog to simulate the realistic movements of a frog. The drive motor may be an electric motor. A plurality of gear groups coupled thereto are selectively driven to impart the realistic motion to the respective parts of the frog.

摘要翻译： 可移动的青蛙玩具包括主体，嘴，可移动的舌头以及前后腿。 提供了一个声音发生器来模拟真正的青蛙的声音。 驱动马达和变速器为青蛙的部分提供动力和运动，以模拟青蛙的真实运动。 驱动马达可以是电动马达。 选择性地驱动耦合到其上的多个齿轮组，以将现实运动赋予青蛙的各个部分。

公开(公告)号：US5592322A

公开(公告)日：1997-01-07

申请号：US524012

申请日：1995-09-05

申请人： Jung-Gyu Kim

发明人： Jung-Gyu Kim

IPC分类号： G11B7/125 ,  G11B20/10 ,  H04B10/04 ,  H04L25/49

CPC分类号： H04B10/50 ,  G11B20/10009 ,  G11B7/126 ,  H04L25/4906

摘要： A laser beam modulation apparatus modulates a EFM (eight-fourteen modulated) signal to generate as a laser power control signal a pulse modulated EFM signal (PM-EFM). During each of on-time intervals of the EFM signal, the pulse modulated EFM signal serves to apply the laser beam on a recording area on a phase-change disk and to undulate the laser beam in order to prevent an overheating of the recording area.

摘要翻译： 激光束调制装置调制EFM（八十四调制）信号，以产生脉冲调制EFM信号（PM-EFM）作为激光功率控制信号。 在EFM信号的接通时间间隔期间，脉冲调制EFM信号用于将激光束施加在相变盘上的记录区域上，并且使激光束波动以防止记录区域的过热。