公开(公告)号：US20160308008A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：US15060174

申请日：2016-03-03

申请人： KYOUNG HWAN YEO ,  Seonguk Park ,  Seungjae Lee ,  Doyoung Choi ,  Sunhom Steve Paak ,  Tae Eung Yoon ,  Dongho Cha ,  Ruiyi Chen

发明人： KYOUNG HWAN YEO ,  Seonguk Park ,  Seungjae Lee ,  Doyoung Choi ,  Sunhom Steve Paak ,  Tae Eung Yoon ,  Dongho Cha ,  Ruiyi Chen

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L27/11

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： Provided is a semiconductor device with a field effect transistor. The semiconductor device includes a substrate, an active pattern on the substrate, a gate electrode crossing the active pattern and a capping structure on the gate electrode. The capping structure includes first and second capping patterns that are sequentially stacked on the gate electrode. The second capping pattern completely covers a top surface of the first capping pattern, and a dielectric constant of the second capping pattern is greater than that of the first capping pattern.

摘要翻译： 提供了具有场效应晶体管的半导体器件。 半导体器件包括衬底，衬底上的有源图案，与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。 封盖结构包括顺序地堆叠在栅电极上的第一和第二封盖图案。 第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，并且第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。