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发明授权
Plasma processing of tungsten using a gas mixture comprising a fluorinated gas and oxygen 失效
标题翻译：使用包含氟化气体和氧气的气体混合物等离子体处理钨

公开(公告)号：US06277763B1

公开(公告)日：2001-08-21

申请号：US09465031

申请日：1999-12-16

申请人： Katsuhisa Kugimiya , Takanori Nishizawa , Daisuke Tajima

发明人： Katsuhisa Kugimiya , Takanori Nishizawa , Daisuke Tajima

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01J37/321 , C23F4/00 , H01L21/32136

摘要： A method and apparatus for etching of a substrate comprising both a polysilicon layer and an overlying tungsten layer. The method comprises etching the tungsten layer in a chamber using a plasma formed from a gas mixture comprising a fluorinated gas (such as CF4, NF3, SF6, and the like) and oxygen.

摘要翻译： 一种用于蚀刻包括多晶硅层和上覆钨层的衬底的方法和装置。该方法包括使用由包括氟化气体（例如CF 4，NF 3，SF 6等）和氧气的气体混合物形成的等离子体来蚀刻室中的钨层。