公开(公告)号：US20130157409A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13715767

申请日：2012-12-14

申请人： Kaushik VAIDYA ,  Hari K. PONNEKANTI

发明人： Kaushik VAIDYA ,  Hari K. PONNEKANTI

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/76802 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/50

摘要： Embodiments of the invention generally provide methods for forming a silicon-based photovoltaic device. In one embodiment, a method includes forming a pattern inhibitor layer on a back surface of a substrate, wherein the pattern inhibitor layer covers a first portion of the back surface and a second portion of the back surface remains substantially free of the pattern inhibitor layer. The method further includes forming a passivation layer containing aluminum oxide on the second portion of the back surface and maintaining the pattern inhibitor layer substantially free of the passivation layer during a selective atomic layer deposition (S-ALD) process. Additionally, the method includes removing the pattern inhibitor layer from the back surface to reveal the first portion of the back surface and subsequently forming a contact layer on the first portion of the back surface.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供用于形成硅基光伏器件的方法。 在一个实施方案中，一种方法包括在衬底的背面上形成图案抑制剂层，其中图案抑制剂层覆盖背面的第一部分，并且后表面的第二部分基本上没有图案抑制层。 该方法还包括在背面的第二部分上形成含有氧化铝的钝化层，并且在选择性原子层沉积（S-ALD）工艺期间保持图案抑制层基本上不含钝化层。 此外，该方法包括从后表面去除图案抑制层，以露出背面的第一部分，随后在背面的第一部分上形成接触层。