公开(公告)号：US07446930B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US10575271

申请日：2004-11-10

申请人： Kenji Kitamura ,  Sunao Kurimura ,  Masaru Nakamura ,  Shunji Takekawa ,  Kazuya Terabe ,  Shunichi Hishida ,  Tamaki Shimura

发明人： Kenji Kitamura ,  Sunao Kurimura ,  Masaru Nakamura ,  Shunji Takekawa ,  Kazuya Terabe ,  Shunichi Hishida ,  Tamaki Shimura

IPC分类号： G02F1/35 ,  G02F2/02

CPC分类号： G02F1/3558 ,  G02F2202/20

摘要： A problem to be solved is to provide a method of forming domain inverted regions of short period in a ferroelectric single crystal in a controllable time period of application of voltage and an optical wavelength conversion element using the same.A solving means of it solves the problem by forming (i) a control layer having a larger defect density Dcont1 than the defect density Dferro of a ferroelectric single crystal (Dferro

摘要翻译： 要解决的问题是提供一种在施加电压的可控时间内在铁电单晶中形成短周期的畴反转区域的方法和使用其的光波长转换元件。 其解决方法通过形成（i）具有比铁电单晶（D）的缺陷密度D 更大的缺陷密度D 的控制层来解决该问题 或者形成（ii）具有比铁电单晶的格点的次序小的点阵次数的控制层， 垂直于铁电单晶中的铁电单晶的偏振方向的面。

公开(公告)号：US20070053054A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US10575271

申请日：2004-11-10

申请人： Kenji Kitamura ,  Sunao Kurimura ,  Masaru Nakamura ,  Shunji Takekawa ,  Kazuya Terabe ,  Shunichi Hishida ,  Tamaki Shimura

发明人： Kenji Kitamura ,  Sunao Kurimura ,  Masaru Nakamura ,  Shunji Takekawa ,  Kazuya Terabe ,  Shunichi Hishida ,  Tamaki Shimura

IPC分类号： G02F1/35

CPC分类号： G02F1/3558 ,  G02F2202/20

摘要： A problem to be solved is to provide a method of forming domain inverted regions of short period in a ferroelectric single crystal in a controllable time period of application of voltage and an optical wavelength conversion element using the same. A solving means of it solves the problem by forming (i) a control layer having a larger defect density Dcont1 than the defect density Dferro of a ferroelectric single crystal (Dferro

摘要翻译： 要解决的问题是提供一种在施加电压的可控时间内在铁电单晶中形成短周期的畴反转区域的方法和使用其的光波长转换元件。 其解决方法通过形成（i）具有比铁电单晶（D）的缺陷密度D 更大的缺陷密度D 的控制层来解决该问题 或者形成（ii）具有比铁电单晶的格点的次序小的点阵次数的控制层， 垂直于铁电单晶中的铁电单晶的偏振方向的面。