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1.发明授权Memory system such as a dual-inline memory module (DIMM) and computer system using the memory system 有权内存系统，如双列直插式内存模块（DIMM）和使用内存系统的计算机系统公开(公告)号：US08054676B2
公开(公告)日：2011-11-08
申请号：US12193365
申请日：2008-08-18
IPC分类号： G11C11/24
CPC分类号： G11C5/04 , G06F13/1694 , G11C7/1045
摘要： A memory system (250) includes a plurality of memory devices (260) adapted to be coupled to an interface (140), an indicator (272) for indicating a type of the plurality of memory devices (260), and an override circuit (280) having a first terminal adapted to be coupled to the interface (140), a second terminal coupled to the plurality of the memory devices (260), and a control input for receiving a control signal. The override circuit (280) is responsive to the control signal to alter an operation of the memory system (250).
摘要翻译： 存储器系统（250）包括适于耦合到接口（140）的多个存储器件（260），用于指示多个存储器件（260）的类型的指示器（272）和超控电路 280），其具有适于耦合到所述接口（140）的第一端子，耦合到所述多个存储器件（260）的第二端子以及用于接收控制信号的控制输入端。 超控电路（280）响应于控制信号来改变存储器系统（250）的操作。
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2.发明申请Memory System Such as a Dual-Inline Memory Module (DIMm) and Computer System Using the Memory System 有权内存系统，如双列直插式内存模块（DIMm）和使用内存系统的计算机系统公开(公告)号：US20100042778A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：US12193365
申请日：2008-08-18
IPC分类号： G06F12/00 , G06F15/177 , G06F13/00
CPC分类号： G11C5/04 , G06F13/1694 , G11C7/1045
摘要： A memory system (250) includes a plurality of memory devices (260) adapted to be coupled to an interface (140), an indicator (272) for indicating a type of the plurality of memory devices (260), and an override circuit (280) having a first terminal adapted to be coupled to the interface (140), a second terminal coupled to the plurality of the memory devices (260), and a control input for receiving a control signal. The override circuit (280) is responsive to the control signal to alter an operation of the memory system (250).
摘要翻译： 存储器系统（250）包括适于耦合到接口（140）的多个存储器件（260），用于指示多个存储器件（260）的类型的指示器（272）和超控电路 280），其具有适于耦合到所述接口（140）的第一端子，耦合到所述多个存储器件（260）的第二端子以及用于接收控制信号的控制输入端。 超控电路（280）响应于控制信号来改变存储器系统（250）的操作。
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