公开(公告)号：US07838438B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11363186

申请日：2006-02-28

申请人： Ki Vin Im ,  Jae Hyun Yeo ,  Kyoung Ryul Yoon ,  Jong Cheol Lee ,  Eun Ae Chung ,  Young Sun Kim

发明人： Ki Vin Im ,  Jae Hyun Yeo ,  Kyoung Ryul Yoon ,  Jong Cheol Lee ,  Eun Ae Chung ,  Young Sun Kim

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： A dielectric layer, an MIM capacitor, a method of manufacturing the dielectric layer and a method of manufacturing the MIM capacitor. The method of manufacturing the dielectric layer includes chemically reacting a metal source with different amounts of an oxidizing agent based on the cycle of the chemical reactions in order to control leakage characteristics of the dielectric layer, the electrical characteristics of the dielectric layer, and the dielectric characteristics of the dielectric layer.

摘要翻译： 电介质层，MIM电容器，制造介电层的方法以及MIM电容器的制造方法。 制造电介质层的方法包括基于化学反应的循环使金属源与不同量的氧化剂化学反应，以便控制电介质层的泄漏特性，电介质层的电特性和电介质 电介质层的特性。