公开(公告)号：US20170243837A9

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：US13959601

申请日：2013-08-05

申请人： Applied Microstructures, Inc.

发明人： Boris Kobrin ,  Nikunj Dangaria ,  Romuald Nowak ,  Michael T. Grimes

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/564 ,  B81B3/0075 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/0038 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L23/29 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： An article having a surface treated to provide a protective coating structure in accordance with the following method: vapor depositing a first layer on a substrate, wherein said first layer is a metal oxide adhesion layer selected from the group consisting of an oxide of a Group IIIA metal element, a Group IVB metal element, a Group VB metal element, and combinations thereof; vapor depositing a second layer upon said first layer, wherein said second layer includes a silicon-containing layer selected from the group consisting of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride; and vapor depositing a third layer upon said second layer, wherein said third layer is a functional organic-comprising layer, wherein said functional organic-comprising layer is a SAM.

公开(公告)号：US08653573B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13017186

申请日：2011-01-31

申请人： Brian A. Vaartstra

发明人： Brian A. Vaartstra

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L21/02178 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3162 ,  H01L27/11

摘要： A method of forming (and an apparatus for forming) a metal-doped aluminum oxide layer on a substrate, particularly a semiconductor substrate or substrate assembly, using a vapor deposition process.

摘要翻译： 使用气相沉积工艺在衬底，特别是半导体衬底或衬底组件上形成（以及用于形成）金属掺杂的氧化铝层的方法。

公开(公告)号：US20130320509A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13959593

申请日：2013-08-05

申请人： Applied Microstructures, Inc.

发明人： Boris Kobrin ,  Nikunj Hirji Dangaria ,  Romuald Nowak ,  Michael T. Grimes

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/564 ,  B81B3/0075 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/0038 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L23/29 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A moisture barrier coating for protecting a substrate from moisture, comprises an inorganic layer disposed over the substrate, the inorganic layer comprising an oxide or nitride of an element selected from the group consisting of silicon, aluminum, titanium, zirconium, hafnium and combinations thereof; and an organic silicon-containing layer disposed over the inorganic layer.

摘要翻译： 一种用于保护基底免受湿气侵害的防潮涂层，包括设置在该基底上的无机层，该无机层包括选自硅，铝，钛，锆，铪及其组合的元素的氧化物或氮化物; 以及设置在无机层上的有机含硅层。

公开(公告)号：US08598047B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13270811

申请日：2011-10-11

申请人： Masanori Sakai ,  Toru Kagaya ,  Hirohisa Yamazaki

发明人： Masanori Sakai ,  Toru Kagaya ,  Hirohisa Yamazaki

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3162 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/67109

摘要： A substrate treatment apparatus includes a reaction tube and a heater heating a silicon wafer. Trimethyl aluminum (TMA) and ozone (O3) are alternately fed into the reaction tubeto generate Al2O3 film on the surface of the wafer. The apparatus also includes supply tubes and for flowing the ozone and TMA and a nozzle supplying gas into the reaction tube. The two supply tubes are connected to the nozzle disposed inside the heater in a zone inside the reaction tube where a temperature is lower than a temperature near the wafer, and the ozone and TMA are supplied into the reaction tube through the nozzle.

摘要翻译： 基板处理装置包括反应管和加热硅晶片的加热器。 将三甲基铝（TMA）和臭氧（O3）交替地进料到反应管中，以在晶片的表面上产生Al 2 O 3膜。 该设备还包括供应管和用于使臭氧和TMA流动的喷嘴和向反应管供应气体的喷嘴。 两个供应管连接到设置在加热器内部的喷嘴内的温度低于晶片温度的反应管内的区域，臭氧和TMA通过喷嘴供应到反应管中。

公开(公告)号：US08049304B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12422788

申请日：2009-04-13

申请人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

发明人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： The invention includes ALD-type methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form a material. In particular aspects, the precursors are hafnium and aluminum, the only reactant is ozone, and the material is hafnium oxide predominantly in a tetragonal crystalline phase.

摘要翻译： 本发明包括ALD型方法，其中使用两种或更多种不同的前体与一种或多种反应物形成材料。 在特定方面，前体是铪和铝，唯一的反应物是臭氧，并且该材料主要是四方晶相中的铪氧化物。

公开(公告)号：US08043952B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12153655

申请日：2008-05-22

申请人： Sang-moo Choi ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Eun-ha Lee ,  Jung-hun Sung

发明人： Sang-moo Choi ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Eun-ha Lee ,  Jung-hun Sung

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162

摘要： Provided is a method of forming an aluminum oxide layer and a method of manufacturing a charge trap memory device using the same. The method of forming an aluminum oxide layer may include forming an amorphous aluminum oxide layer on an underlying layer, forming a crystalline auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer, and crystallizing the amorphous aluminum oxide layer. Forming the crystalline auxiliary layer may include forming an amorphous auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer; and crystallizing the amorphous auxiliary layer.

摘要翻译： 提供一种形成氧化铝层的方法以及使用其形成电荷阱存储器件的方法。 形成氧化铝层的方法可以包括在下层上形成非晶态氧化铝层，在非晶态氧化铝层上形成结晶性辅助层，并使无定形氧化铝层结晶。 形成结晶辅助层可以包括在无定形氧化铝层上形成非晶态辅助层; 并使无定形辅助层结晶。

公开(公告)号：US08022486B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US11882012

申请日：2007-07-30

申请人： Katsuyuki Sekine ,  Tomonori Aoyama ,  Takuya Kobayashi

发明人： Katsuyuki Sekine ,  Tomonori Aoyama ,  Takuya Kobayashi

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, and a p-channel MOS transistor provided on the semiconductor substrate, the p-channel MOS transistor comprising a first gate dielectric film including Hf, a second gate dielectric film provided on the first gate dielectric film and including aluminum oxide, and a first metal silicide gate electrode provided on the second gate dielectric film.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的p沟道MOS晶体管，所述p沟道MOS晶体管包括包括Hf的第一栅极电介质膜，设置在第一栅极电介质膜上的第二栅极电介质膜， 氧化铝和设置在第二栅极电介质膜上的第一金属硅化物栅电极。

公开(公告)号：US07816278B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12058470

申请日：2008-03-28

申请人： Kimberly G. Reid ,  Anthony Dip

发明人： Kimberly G. Reid ,  Anthony Dip

IPC分类号： H01L21/33

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/02 ,  C23C16/405 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： An in-situ hybrid film deposition method for forming a high-k dielectric film on a plurality of substrates in a batch processing system. The method includes loading the plurality of substrates into a process chamber of the batch processing system, depositing by atomic layer deposition (ALD) a first portion of a high-k dielectric film on the plurality of substrates, after depositing the first portion, and without removing the plurality of substrates from the process chamber, depositing by chemical vapor deposition (CVD) a second portion of the high-k dielectric film on the first portion, and removing the plurality of substrates from the process chamber. The method can further include alternatingly repeating the deposition of the first and second portions until the high-k dielectric film has a desired thickness. The method can still further include pre-treating the substrates and post-treating the high-k dielectric film in-situ prior to the removing.

摘要翻译： 一种用于在批量处理系统中在多个基板上形成高k电介质膜的原位复合膜沉积方法。 该方法包括将多个基板装载到批处理系统的处理室中，在沉积第一部分之后，通过原子层沉积（ALD）沉积高k电介质膜的第一部分，在沉积第一部分之后，并且不存在 从所述处理室中移除所述多个基板，通过化学气相沉积（CVD）将所述高k电介质膜的第二部分沉积在所述第一部分上，以及从所述处理室中移除所述多个基板。 该方法还可以包括交替重复第一和第二部分的沉积，直到高k电介质膜具有期望的厚度。 该方法还可以进一步包括预处理基片并在去除之前对其原位进行后处理。

公开(公告)号：US20100239758A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12794047

申请日：2010-06-04

申请人： Shreyas S. Kher ,  Shixue Han ,  Craig R. Metzner

发明人： Shreyas S. Kher ,  Shixue Han ,  Craig R. Metzner

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02312 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/405 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31683

摘要： Embodiments of the present invention relate to a surface preparation treatment for the formation of thin films of high k dielectric materials over substrates. One embodiment of a method of forming a high k dielectric layer over a substrate includes pre-cleaning a surface of a substrate to remove native oxides, pre-treating the surface of the substrate with a hydroxylating agent, and forming a high k dielectric layer over the surface of the substrate. One embodiment of a method of forming a hafnium containing layer over a substrate includes introducing an acid solution to a surface of a substrate, introducing a hydrogen containing gas and an oxygen containing gas to the surface of the substrate, and forming a hafnium containing layer over the substrate.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及用于在基板上形成高k电介质材料的薄膜的表面处理。 在衬底上形成高k电介质层的方法的一个实施例包括预清洁衬底的表面以去除天然氧化物，用羟基化剂预处理衬底的表面，以及形成高k电介质层 衬底的表面。 在衬底上形成含铪层的方法的一个实施方案包括将酸溶液引入衬底的表面，将含氢气体和含氧气体引入衬底的表面，并且形成含铪层 底物。

公开(公告)号：US20100171089A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：US12725753

申请日：2010-03-17

申请人： Brian A. VAARTSTRA

发明人： Brian A. VAARTSTRA

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L21/02178 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3162 ,  H01L27/11

摘要： A method of forming (and an apparatus for forming) a metal-doped aluminum oxide layer on a substrate, particularly a semiconductor substrate or substrate assembly, using a vapor deposition process.

摘要翻译： 使用气相沉积工艺在衬底，特别是半导体衬底或衬底组件上形成（以及用于形成）金属掺杂的氧化铝层的方法。